制造半导体器件的方法技术

本发明专利技术涉及一种制造半导体器件的方法。根据本发明专利技术的一个实施例的制造方法包括：在支撑基片（７０）上形成种子金属层（２０ａ），在种子金属层（２０ａ）上形成包括互连（１８）的互连层（１０），在形成互连层（１０）之后除去支撑基片（７０），以及在除去支撑基片之后，对种子金属层（２０ａ）进行图形化以形成互连（２０）。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体器件及其制造方法。
技术介绍
到目前为止所研发的包括在日本未审专利 申请第2005-101137号(专利文献1)和第H08-167629号(专利文献2) 中所公开的方法。根据前者，互连层形成在超薄铜箔上，该超薄铜箔 配置在由支撑层和载体铜箔所构成的支撑基片上。然后在分界面处将 支撑基片从超薄铜箔上剥离，因而使得支撑基片与互连层分离，此后 从互连层上除去超薄铜箔。根据后者，在转移基片上以预定图案形成互连，并且在其上放置 了半导体基片的情况下，该互连被密封在树脂中。然后在转移基片与 互连之间的分界面处将转移基片从互连上剥离，因此使得转移基片与 半导体封装分离。
技术实现思路
本专利技术的专利技术人发现前述现有技术具有以下缺点。通过根据专利 文献1的方法，超薄铜箔最终被从互连层上除去，因而使得超薄铜箔 变成废品。这会导致半导体器件制造费用的增加。根据专利文献2，它是一个形成于转移基片上的经图形化的互连 层。因此，当在第一互连上提供绝缘层之后，在这个互连上形成另一 互连从而建立互连层的时候，由于形成在转移基片上的第一互连的不 平整性而导致该互连层的平面度劣化。根据本专利技术，提供了一种，包括在支撑 基片上形成种子金属层；在所述种子金属层上形成包括第一互连的互 连层；在形成所述互连层之后除去所述支撑基片；和在除去所述支撑 基片之后，对所述种子金属层进行图形化以形成第二互连。通过这样安排的方法，在种子金属层上对互连进行图形化，以由 此形成第二互连。这种方法允许使用种子金属层作为将被制造的半导 体器件中的互连，而不是作为废品被除去。而且，除了该种子金属层 以外，该方法不需要提供用于形成第二互连的任何额外的金属层。因 此，所提出的方法抑制了制造费用的增加。而且在对其图形化之前，在种子金属层上形成互连层。因此，该 互连层形成于平坦的种子金属层上，因而该互连层获得了较高的平面 度。根据本专利技术，提供了一种半导体器件，包括绝缘树脂层，其配 置有第一通孔插塞；粘性导电薄膜，其配置在所述绝缘树脂层和所述 第一通孔插塞的第一表面上；第一互连，其配置在所述粘性导电薄膜 上并且电连接到所述第一通孔插塞；以及第二互连，其直接配置在所 述绝缘树脂层的第二表面上并且电连接到所述第一通孔插塞。因此，本专利技术提供了一种半导体器件，其包括具有较高平面度 的互连层，以及制造这种半导体器件的方法，而没有引起任何制造成 本的增加。附图说明结合附图根据以下详细的描述可以清楚了解本专利技术的上述和其它目的、优点和特性，其中-图1示出了根据本专利技术实施例的半导体器件的横截面示意图2A和2B逐步地示出了制造图1所示的半导体器件的方法的横截面示意图3A和3B逐步地示出了制造图l所示的半导体器件的方法的横 截面示意图4A和4B逐步地示出了制造图1所示的半导体器件的方法的横 截面示意图5A和5B逐步地示出了制造图1所示的半导体器件的方法的横 截面示意图6示出了制造图1所示的半导体器件的方法的横截面示意图7示出了根据比较例子的半导体器件的横截面示意图8示出了根据另一比较例子的半导体器件的横截面示意图9示出了根据实施例的半导体器件的变形的横截面示意图10示出了根据实施例的半导体器件的另一个变形的横截面示意图11示出了根据实施例的半导体器件的又一个变形的横截面示意图12示出了根据实施例的半导体器件的再一个变形的横截面示意图13示出了根据实施例的半导体器件的再一个变形的横截面示意图14示出了根据实施例的半导体器件的再一个变形的横截面示意图-,图15示出了根据实施例的半导体器件的再一个变形的横截面示意图16示出了根据实施例的半导体器件的再一个变形的横截面示 意图17示出了根据实施例的半导体器件的再一个变形的横截面示意图18示出了根据实施例的半导体器件的再一个变形的横截面示 意图；和图19示出了根据实施例的半导体器件的再一个变形的横截面示 意图。具体实施例方式在此参考示意性的各具体实施例来描述本专利技术。本领域技术人员 可以认识到，使用本专利技术的教导可以实现许多可选实施例并且本专利技术 不限于用于解释目的所说明的各实施例。以下，将会参考附图描述根据本专利技术的半导体器件及其制造方法 的各示例性实施例。在附图中，相同的组成部分给出相同的附图标记， 并且适当的情况下省略了重复的描述。图1示出了根据本专利技术实施例的半导体器件的横截面示意图。半 导体器件1包括互连层10、互连20、半导体芯片30、焊球40以及密 封树脂50。互连层IO包括绝缘树脂层12、通孔插塞(via plug) 14、 粘性导电薄膜16以及互连18。适于构成绝缘树脂层12的材料包括PBO (polybenzooxazole，聚 苯并噁唑)和聚酰亚胺树脂。聚酰亚胺树脂可以是光敏聚酰亚胺树脂 或者非光敏聚酰亚胺树脂。绝缘树脂层12包括通孔插塞14 (第一通孔 插塞)。该通孔插塞14穿透绝缘树脂层12。在本实施例中，通孔插塞 14由铜制成。在绝缘树脂层12的一个表面Sl (第一表面)上，提供粘性导电 薄膜16 (第一粘性导电薄膜)。粘性导电薄膜16连接到每个通孔插塞14的端部。在本实施例中，粘性导电薄膜16是一种包括多个金属层的粘性金属层。粘性导电薄膜16的顶层(与互连18接触的层)优选由 与构成互连18的金属相同的金属构成。在本实施例中，粘性导电薄膜 16包括两层，它们是钛薄膜和铜薄膜。换句话说，粘性导电薄膜16包 括配置在表面Sl上的钛薄膜以及配置在钛薄膜上的铜薄膜。在粘性导电薄膜16上，配置了互连18 (第一互连)。在本实施 例中，互连18是铜互连。这种互连18通过粘性导电薄膜16电连接到 通孔插塞14上。在绝缘树脂层12的另一个表面(第二表面)S2上，配置了互连 20 (第二互连)以与绝缘树脂层12直接接触。互连20直接连接到通 孔插塞14的另一端部(与粘性导电薄膜16相对)，用于电连接。特 别是，互连20和通孔插塞14是由相同的金属(在本实施例中是铜) 制成的以便成为一体。因此，设置互连20以与绝缘树脂层12和通孔 插塞14直接接触，而没有粘性导电薄膜或者阻挡层金属的中间介质。 互连20可以作为接地平面使用。在互连20上配置抗蚀膜62。这里，在半导体器件l中，绝缘树脂层12的表面不是粗糙的。因 此，在绝缘树脂层12的光滑表面上配置粘性导电薄膜16和互连20。 同样，通孔插塞14的导通孔的侧壁也不是粗糙的。因此，在绝缘树脂 层12和通孔插塞14之间的分界面也是光滑的。在绝缘树脂层12的表面Sl —侧上配置半导体芯片30。半导体芯 片30通过焊料32连接到互连18。这里，在表面Sl上配置阻焊剂64 以覆盖粘性导电薄膜16和互连18。焊料32通过由阻焊剂64所提供的 开口连接互连18和半导体芯片30。半导体芯片30设置在阻焊剂64上， 在它们之间具有间隙。在半导体芯片30和阻焊剂64之间的间隙用底 部填充(underfill)树脂66填充。在绝缘树脂层12的表面S2侧上配置了焊球40。焊球40连接到 那些没有与互连20相连接的通孔插塞14上。焊球40用作半导体器件 1的外部电极端子。在阻焊剂64上配置了密封树脂50以覆盖半导体芯片30。在本实 施例中，密封树脂50覆盖半导体芯片30的整个侧部和上部表面。现在将要参考图2本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制造半导体器件的方法，包括：　在支撑基片上形成种子金属层；　在所述种子金属层上形成包括第一互连的互连层；　在形成所述互连层之后除去所述支撑基片；和　在除去所述支撑基片之后，对所述种子金属层进行图形化以形成第二互连。

【技术特征摘要】
JP 2005-7-26 2005-2154091.一种制造半导体器件的方法，包括在支撑基片上形成种子金属层；在所述种子金属层上形成包括第一互连的互连层；在形成所述互连层之后除去所述支撑基片；和在除去所述支撑基片之后，对所述种子金属层进行图形化以形成第二互连。2. 如权利要求1所述的方法， 其中所述的形成所述互连层的步骤包括在所述种子金属层上形成绝缘树脂层；在所述绝缘树脂层中形成 通孔插塞；并且在包括所述通孔插塞的所述绝缘树脂层上形成所述第一互连。3. 如权利要求2所述的方法，其中所述的形成所述第一互连的步骤包括通过粘性导电薄膜在 所述绝缘树脂层上形成所述第一互连。4. 如权利要2所述的方法，其中所述的形成所述绝缘树脂层的步骤包括将绝缘树脂涂覆到 所述种子金属层然后烘焙所述绝缘树脂。5. 如权利要2所述的方法，其中所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：川野连也，副岛康志，栗田洋一郎，
申请(专利权)人：瑞萨电子株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]