【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种半导体器件及其制造方法。
技术介绍
到目前为止所研发的包括在日本未审专利 申请第2005-101137号(专利文献1)和第H08-167629号(专利文献2) 中所公开的方法。根据前者,互连层形成在超薄铜箔上,该超薄铜箔 配置在由支撑层和载体铜箔所构成的支撑基片上。然后在分界面处将 支撑基片从超薄铜箔上剥离,因而使得支撑基片与互连层分离,此后 从互连层上除去超薄铜箔。根据后者,在转移基片上以预定图案形成互连,并且在其上放置 了半导体基片的情况下,该互连被密封在树脂中。然后在转移基片与 互连之间的分界面处将转移基片从互连上剥离,因此使得转移基片与 半导体封装分离。
技术实现思路
本专利技术的专利技术人发现前述现有技术具有以下缺点。通过根据专利 文献1的方法,超薄铜箔最终被从互连层上除去,因而使得超薄铜箔 变成废品。这会导致半导体器件制造费用的增加。根据专利文献2,它是一个形成于转移基片上的经图形化的互连 层。因此,当在第一互连上提供绝缘层之后,在这个互连上形成另一 互连从而建立互连层的时候,由于形成在转移基片上的第一互连的不 平整性而导致该互连层的 ...
【技术保护点】
一种制造半导体器件的方法,包括: 在支撑基片上形成种子金属层; 在所述种子金属层上形成包括第一互连的互连层; 在形成所述互连层之后除去所述支撑基片;和 在除去所述支撑基片之后,对所述种子金属层进行图形化以形成第二互连。
【技术特征摘要】
JP 2005-7-26 2005-2154091.一种制造半导体器件的方法,包括在支撑基片上形成种子金属层;在所述种子金属层上形成包括第一互连的互连层;在形成所述互连层之后除去所述支撑基片;和在除去所述支撑基片之后,对所述种子金属层进行图形化以形成第二互连。2. 如权利要求1所述的方法, 其中所述的形成所述互连层的步骤包括在所述种子金属层上形成绝缘树脂层;在所述绝缘树脂层中形成 通孔插塞;并且在包括所述通孔插塞的所述绝缘树脂层上形成所述第一互连。3. 如权利要求2所述的方法,其中所述的形成所述第一互连的步骤包括通过粘性导电薄膜在 所述绝缘树脂层上形成所述第一互连。4. 如权利要2所述的方法,其中所述的形成所述绝缘树脂层的步骤包括将绝缘树脂涂覆到 所述种子金属层然后烘焙所述绝缘树脂。5. 如权利要2所述的方法,其中所述...
【专利技术属性】
技术研发人员:川野连也,副岛康志,栗田洋一郎,
申请(专利权)人:瑞萨电子株式会社,
类型:发明
国别省市:JP[日本]
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