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本发明涉及一种制造半导体器件的方法。根据本发明的一个实施例的制造方法包括：在支撑基片（７０）上形成种子金属层（２０ａ），在种子金属层（２０ａ）上形成包括互连（１８）的互连层（１０），在形成互连层（１０）之后除去支撑基片（７０），以及在除去支...
该专利属于瑞萨电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过瑞萨电子株式会社授权不得商用。

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