【技术实现步骤摘要】
本专利技术总体上涉及集成电路，并且尤其涉及具有伪装配置(disguised configuration )的存储元件及4吏用该元件的方法。技术背景常规的集成电路(IC)可以包括至少一个可编程的电路元件，诸 如片上电溶丝(electrical fuse, eFuse )或反熔丝(antifuse )，其用 来定制所述IC。例如，根据eFuse的编程状态，可以依照客户的合同 或授权需求来启用或禁止IC的特征。可以容易地检测出在IC中所包括的eFuse的编程状态。因此， 可以容易地反向设计(reverse-engineering) IC。如果把IC用于航天、 军用、防御、金融或影响国家安全的任何其它系统，那么这种容易反 向设计的IC并非是所想要的。因此，想要一种用于防止IC被反向设 计的IC可编程电路元件。
技术实现思路
依照本专利技术的第一方面，提供了第一设备。第一设备是一集成电 路(IC )元件，包括(1)具有源极/漏极扩散区域的金属氧化物半 导体场效应晶体管(MOSFET) ; (2)电熔丝(eFuse)，被耦合到 所述MOSFET，使得一部分eFuse充当所述...
【技术保护点】
一种集成电路、即ＩＣ的元件，包括：金属氧化物半导体场效应晶体管、即ＭＯＳＦＥＴ，具有源极／漏极扩散区域；电熔丝、即ｅＦｕｓｅ，被耦合到所述ＭＯＳＦＥＴ，使得一部分的ｅＦｕｓｅ充当所述ＭＯＳＦＥＴ的栅极区；和注入区域， 被耦合到所述ＭＯＳＦＥＴ的源极／漏极扩散区域，使得在所述源极／漏极扩散区域之间的通路作为短路或开路起作用。
【技术特征摘要】
US 2006-9-19 11/533,1911.一种集成电路、即IC的元件，包括金属氧化物半导体场效应晶体管、即MOSFET，具有源极/漏极扩散区域；电熔丝、即eFuse，被耦合到所述MOSFET，使得一部分的eFuse充当所述MOSFET的栅极区；和注入区域，被耦合到所述MOSFET的源极/漏极扩散区域，使得在所述源极/漏极扩散区域之间的通路作为短路或开路起作用。2. 如权利要求l所述的元件，其中 所述MOSFET是n沟道MOSFET;所述注入区域包括大约4x 1017到大约1 x io18 ion/cm3浓度的n 型搀杂物；并且所述注入区域被耦合到所述MOSFET的源极/漏极扩散区域，使 得在所述源极/漏极扩散区域之间的通路作为短路起作用。3. 如权利要求l所述的元件，其中 所述MOSFET是n沟道MOSFET;所述注入区域包括大于大约1 x 10ion/ci^浓度的p型搀杂物；并且所述注入区域被耦合到所述MOSFET的源极/漏极扩散区域，使 得在所述源极/漏极扩散区域之间的通路作为开路起作用。4. 如权利要求l所述的元件，其中 所述MOSFET是p沟道MOSFET;所述注入区域包括大约4xl0到大约lxio18 ion/cm3浓度的p 型搀杂物；并且所述注入区域被耦合到所述MOSFET的源极/漏极扩散区域，使 得在所述源极/漏极扩散区域之间的通路作为短路起作用。5. 如权利要求l所述的元件，其中 所述MOSFET是p沟道MOSFET; 所述注入区域包括大于大约lxio18 ion/cm3浓度的n型搀杂物；并且所述注入区域被耦合到所述MOSFET的源极/漏极扩散区域，使 得在所述源极/漏极扩散区域之间的通路作为开路起作用。6. 如权利要求1所述的元件，其中，所述注入区域在所述栅极 区的一个或多个部分中形成，使得在所述源极/漏极扩散区域之间经由 所述注入区域的通路作为短路起作用。7. 如权利要求1所述的元件，其中，所述注入区域在所述栅极 区的一个或多个部分中形成，使得在所述源极/漏极扩散区域之间经由 所述注入区域的通路作为开路起作用。8. 如权利要求1所述的元件，其中，所述元件适合于提供抗辐 射和隔热中的至少一个。9. 如权利要求l所述的元件，其中，由所述MOSFET所提供的 电流增益是基于所述注入区域的，并且与所述eFuse的编程状态无关。10. —种集成电路、即IC，包括 衬底；和在所述衬底上形成的元件，所述元件包括金属氧化物半导体场效应晶体管、即MOSFET，具有源极/ 漏极扩散区域；电熔丝、即eFuse，被耦合到所述MOSFET，使得一部分 的eFuse充当所述MOSFET的栅极区；和注入区域，被耦合到所述MOSFET的源极/漏极扩散区域， 使得在所述源极/漏极扩散区域之间的通路作为短路或开路起作 用。11. ...
【专利技术属性】
技术研发人员：威廉R唐迪，杨智超，杰克A曼德尔曼，许履尘，
申请(专利权)人：国际商业机器公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]
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