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依照第一方面，提供了一种第一设备。第一设备是一集成电路（ＩＣ）元件，包括：（１）具有源极／漏极扩散区域的金属氧化物半导体场效应晶体管（ＭＯＳＦＥＴ）；（２）电熔丝（ｅＦｕｓｅ），被耦合到所述ＭＯＳＦＥＴ，使得一部分的ｅＦｕｓｅ充当所述ＭＯＳ...
该专利属于国际商业机器公司所有，仅供学习研究参考，未经过国际商业机器公司授权不得商用。

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