半导体器件制造技术

本发明专利技术涉及半导体器件及其制造方法。本发明专利技术特征在于，在通过使用催化元素经过阻挡层获得的结晶半导体膜上，形成含稀有气体元素的半导体膜，并通过热处理将催化元素从结晶半导体膜迁移到含稀有气体元素的半导体膜。而且，在第一ｎ－沟道ＴＦＴ的半导体层中在栅极外形成的第一杂质区域和第二杂质区域。在第二ｎ－沟道ＴＦＴ的半导体层中形成的第三杂质区域设置成与栅极部分重叠。第三杂质区域设在栅极外。在ｐ－沟道ＴＦＴ的半导体层中形成的第四杂质区域设置成与栅极部分重叠。第五杂质区域设在栅极外。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种，半导体器#€用了利用具有在 衬底上形成了晶体结构的半导体膜(下文称为晶体半导体膜)的薄膜晶体 管(下文称为TFT)。在本说明书中，半导体器件通常指用半导体特性的功 育識件。依据本专利技术制造的半导^H件包括液晶显^g和具有用TFT构成的 半导体集成电路(微处理器、信号处理电路、高频电路等)等的装置。
技术介绍
正积极制造具有在同一衬底上用TFT形成的驱动电路和像素部分的液晶 显魂置。半导体糊作TFT的有源层，借此，实现了高场—场迁移率。该技 术能获得单片液晶显示装置，其中，在一个玻璃衬底上形成了构成像素部分的 像素TFT和用于设在像素部分周边的驱动电路的TFT。TFT的电特性依赖于半导体膜的质量。尤其是，场效迁移率依赖于半导 体膜的结晶度，并直接影响TFT的响应特性和用于电路的TFT制造的液晶显示装置的显示能力。因此，正在积极研究形成质量好的晶体半导体膜的方法。例如，使用先形 成非晶体半导体膜，而后用激光照射使非晶体半导体膜结晶的方法，用电热炉 加热处理使非晶体半导体膜结晶的方法等。但是，用这样的方法帝隨的半导体 膜有大量晶粒，因其任意方向对齐而无法控制晶体取向本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种有源矩阵发光器件，包括：包括多个像素的像素部分，其中，所述多个像素中的每一个像素包括：薄膜晶体管，该薄膜晶体管又包括：半导体层；栅电极；以及设置在所述半导体层和所述栅电极之间的绝缘层；电连接到所述半导体层的第一电极；覆盖所述第一电极的一部分的划分层；在所述第一电极之上包括有机化合物的层；以及在包括所述有机化合物的所述层之上的第二电极；其中，所述划分层的末端是反锥形的。

【技术特征摘要】
JP 2001-1-19 11085/01;JP 2001-1-30 22062/011.一种有源矩阵发光器件，包括包括多个像素的像素部分，其中，所述多个像素中的每一个像素包括薄膜晶体管，该薄膜晶体管又包括半导体层；栅电极；以及设置在所述半导体层和所述栅电极之间的绝缘层；电连接到所述半导体层的第一电极；覆盖所述第一电极的一部分的划分层；在所述第一电极之上包括有机化合物的层；以及在包括所述有机化合物的所述层之上的第二电极；其中，所述划分层的末端是反锥形的。2. 如权利要求1所述的有源矩阵发光器件，其中，所述半导体层 包括沟道形成区、第一掺杂区和介于所述沟道形成区和所述第一掺杂区 之间的第二掺杂区；以及所述栅电极与所述第二掺杂区的一部分重叠。3. 如权利要求1所述的有源矩阵发光器件，其中，所述栅电极设 在所述半导体层之上，而所述绝缘层设在所述栅电极和所述半导体层之 间。4. 一种有源矩阵发光器件，包括包括多个像素的像素部分，其中，所述多个像素中的每一个像素包括第一薄膜晶体管，该第一薄膜晶体管又包括 第一半导体层； 第一栅电极；以及设置在所述第一半导体层和所述第一栅电极之间的绝缘层；第二薄膜晶体管，该第二薄膜晶体管又包括第二半导体层； 电连接到所述第一半导体层的第二栅电极；以及 设置在所述第二半导体层和所述第二栅电极之间的绝缘层；电连接到所述第二半导体层的第一电极；覆盖所述第一电极的一部分的划分层；在所述第一电极之上包括有机化合物的层；以及在包括所述有机化合物的所述层之上的第二电极；其中，所述划分层的末端是反锥形的。5. 如权利要求4所述的有源矩阵发光器件，其中，所述第一半导 体层包括沟道形成区、第一掺杂区和介于所述沟道形成区和所述第一掺 杂区之间的第二掺杂区；以及所述第一栅电极与所述第二掺杂区的一部分重叠。6. 如权利要求4所述的有源矩阵发光器件，其中，所述第一栅电极设在所述第一半导体层之上，而所述绝缘层设在所 述第一栅电极和所述第一半导体层之间；以及所述第二栅电极设在所述第二半导体层之上，而所述绝缘层设在所 述第二栅电极和所述第二半导体层之间。7. —种有源矩阵发光器件，包括 在衬底上包括多个像素的像素部分；以及 在所述衬底之上的驱动电路，其中，所述多个像素中的每一个像素包括 第一薄膜晶体管，该第一薄膜晶体管又包括半导体层；栅电极；以及设置在所述半导体层和所述栅电极之间的绝缘层； 电连接到所述半导体层的第一电极； 覆盖所述第一电极的一部分的划分层； 在所述第一电极之上包括有机化合物的层；以及 在包括所述有机化合物的所述层之上的第二电极； 其中，所述划分层的末端是反锥形的，并且所述驱动电路部分包括 第二薄膜晶体管。8. 如权利要求7所述的有源矩阵发光器件，其中，所述半导体层 包括沟道形成区、第一掺杂区和介于所述沟道形成区和所述第一掺杂区 之间的第二掺杂区；以及所述栅电极与所述第二掺杂区的一部分重叠。9. 如权利要求7所述的有源矩阵发光器件，其中，所述栅电极设 在所述半导体层之上，而所述绝缘层...

【专利技术属性】
技术研发人员：浜田崇，村上智史，山崎舜平，中村理，梶尾诚之，肥塚纯一，高山彻，
申请(专利权)人：株式会社半导体能源研究所，
类型：发明
国别省市：JP[日本]