半导体构造、存储器阵列、电子系统和形成半导体构造的方法技术方案

本发明专利技术包含具有带沟槽隔离区的半导体构造。所述带沟槽隔离区的沟槽可包含较窄底部和位于所述底部上方的较宽上部。电绝缘材料可填充所述较宽上部，同时在所述较窄底部内留下空洞。所述底部可具有大致垂直的侧壁，并且可在从所述侧壁大致垂直地延伸的台阶处接合到所述上部。所述带沟槽隔离区可并入到存储器阵列中，且／或可并入到电子系统中。本发明专利技术还包含形成半导体构造的方法。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及。技术背景通常在集成电路中利用带沟槽隔离区(例如浅沟槽隔离区)将电组件彼此电隔离。 隔离区延伸到半导体衬底中，并且包括形成在已经蚀刻到衬底中的沟槽内的绝缘材料。可能在形成带沟槽隔离区期间出现的一个问题是，可在将绝缘材料沉积在沟槽内期 间将空洞捕集在沟槽中。空洞将具有不同于绝缘材料的介电特性的介电特性，并且因此 将改变隔离区的绝缘特性。针对这个问题，已研发出许多技术来消除在带沟槽隔离区内 形成空洞。随着集成程度越来越高，空洞的形成正变得越来越难消除。具体来说，带沟槽隔离 区正随着集成程度的提高而变窄变深，这使得更难用绝缘材料均匀地填充带沟槽隔离 区。鉴于上述困难，将需要研发减轻与空洞相关联的问题的制造带沟槽隔离区的新方 法。虽然本文中描述的本专利技术至少部分由减轻与在带沟槽隔离区中形成空洞相关联的问 题的需要驱使，但所属领域的技术人员在阅读了本揭示内容和随附权利要求书之后将明 白，本专利技术的各方面可具有带沟槽隔离区之外的应用。
技术实现思路
在一个方面，本专利技术包含一种半导体构造。所述构造包括半导体衬底和延伸到所述 衬底中的沟槽。所述沟槽具有较窄底部和较宽上部，所本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体构造，其包括：　　　　半导体衬底；　　　　延伸到所述衬底中的沟槽；所述沟槽包括较窄底部和较宽上部，所述较宽上部位于所述底部上方且在台阶处接合所述底部；以及　　　　大致固态的电绝缘材料，其大致填充所述沟槽。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】US 2005-7-19 11/185,1861.一种半导体构造，其包括半导体衬底；延伸到所述衬底中的沟槽；所述沟槽包括较窄底部和较宽上部，所述较宽上部位于所述底部上方且在台阶处接合所述底部；以及大致固态的电绝缘材料，其大致填充所述沟槽。2. 根据权利要求1所述的构造，其中所述上部至少是所述底部的约两倍宽。3. 根据权利要求1所述的构造，其中所述底部具有大致垂直的侧壁，且其中所述台阶 大致垂直于所述侧壁而延伸。4. 根据权利要求1所述的构造，其进一步包括位于所述大致固态的绝缘材料内的空 洞；所述空洞至少大致完全位于所述沟槽的所述底部内。5. 根据权利要求4所述的构造，其中所述空洞是气态区。6. 根据权利要求4所述的构造，其中所述空洞完全位于所述沟槽的所述底部内。7. 根据权利要求1所述的构造，其中所述电绝缘材料包括二氧化硅。8. 根据权利要求l所述的构造，其中所述上部延伸到所述衬底内至少约l微米的深度。9. 根据权利要求l所述的构造，其中所述上部延伸到所述衬底内小于约l微米的深度。10. —种半导体构造，其包括多个带沟槽区，所述带沟槽区具有较窄底部和位于所述底 部上方的较宽上部，所述带沟槽区还具有至少大致完全保留在所述底部内的空洞。11. 根据权利要求IO所述的构造，其中所述带沟槽区的形状大致彼此相同。12. 根据权利要求IO所述的构造，其中所述带沟槽区中的一者或一者以上相对于所述 带沟槽区中的至少另一者在形状上不同。 根据权利要求IO所述的构造，其中所述空洞是气态区。其中所述带沟槽区是带沟槽隔离区。其进一步包括邻近于所述隔离区的晶体管装置。 其中至少一些所述晶体管装置具有在立面上覆盖所13、14. 根据权利要求IO所述的构造:15. 根据权利要求14所述的构造:16. 根据权利要求15所述的构造述空洞的源极/漏极区。17. 根据权利要求16所述的构造 缘材料。18. 根据权利要求17所述的构造 中大致同质。其中所述隔离区包括位于所述顶部和底部内的电绝 其中所述电绝缘材料的成分在整个所述顶部和底部19. 根据权利要求IO所述的构造，其中所述空洞完全保留在所述底部内。20. 根据权利要求IO所述的构造，其中各个底部具有大致垂直的侧壁，且其中各个上 部通过大致垂直于所述侧壁延伸的台阶接合所述各个底部。21. 根据权利要求20所述的构造，其中所述上部至少是所述底部的约两倍宽。22. 根据权利要求IO所述的构造，其中各个底部具有弯曲的侧壁。23. —种存储器阵列，其包括位于半导体衬底上方的多个晶体管，所述晶体管包括栅极和邻近于所述栅极的源 极/漏极区；多个电荷存储装置，其与一些所述源极/漏极区电耦合；以及 多个隔离区，其在所述衬底内延伸且为至少一些所述晶体管提供电隔离；至少一 些各个feg区包括在台阶处接合到较宽上部的较窄下部，包括位于所述较窄部分和 较宽部分内的大致固态的绝缘材料，且包括大致完全包含在所述较窄部分内的空 洞。24. 根据权利要求23所述的存储器阵列，其中所述存储器阵列的至少大多数所述晶体 管栅极是可编程存储器装置的浮动栅极。25. 根据权利要求23所述的存储器阵列，其中所述存储器阵列的至少大多数所述晶体 管栅极不是可编程存储器装置的浮动栅极。26、根据权利要求23所述的存储器阵列，其中至少一些所述较宽上部至少是其所接合 的所述较窄底部的约两倍宽。27、根据权利要求23所述的存储器阵列，其中至少一些所述较窄底部具有大致垂直的 侧...

【专利技术属性】
技术研发人员：古尔特杰S桑胡，马克D杜尔詹，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]