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本发明包含具有带沟槽隔离区的半导体构造。所述带沟槽隔离区的沟槽可包含较窄底部和位于所述底部上方的较宽上部。电绝缘材料可填充所述较宽上部，同时在所述较窄底部内留下空洞。所述底部可具有大致垂直的侧壁，并且可在从所述侧壁大致垂直地延伸的台阶处接合...
该专利属于美光科技公司所有，仅供学习研究参考，未经过美光科技公司授权不得商用。

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