用于电荷载流子迁移率改进的旋转剪切应力制造技术

采用具有被隔离沟槽环绕的有源区（１１）台面结构的半导体衬底的半导体结构及其制造方法。具有第一应力的第一隔离区（１２）位于隔离沟槽中。具有不同于第一应力的第二应力的第二隔离区（１６ａ，１６ｂ）也位于隔离沟槽中。第一隔离区和第二隔离区的大小和位置使得能够向有源区台面结构施加旋转剪切应力。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术总的涉及半导体结构内的物理应力.更具体地，本专利技术涉 及半导体结构内物理应力诱发的电荷栽流子迁移率改进。
技术介绍
半导体器件设计和研发的最近进展已经涉足了将应用物理应力 引入半导体器件元件.应用物理应力常常导致电荷栽流子迁移率改 进.具体地，增强的电荷栽流子迁移率通常导致增强的半导体器件性 能.存在半导体器件内应力诱发性能增强的多个实例.例如，Doris 等在美国专利6，717，216中教导了 一种绝缘体上硅(SOI)场效应晶体 管(FET),其在底切区(undercut area)中具有压应力以提供器件 中的增加的电荷栽流子迁移率.此外，已知半导体结构内的各个位置中的压应力或拉应力提供电 荷栽流子迁移率改进的其它实例.典型地，n-FET和p-FET器件对压 应力和拉应力的反应不同，原因在于作为若干变量(包括例如半导体 衬底掺杂和晶体取向)的函数，压电电阻系数典型地不同.因此，n-FET 和p-FET器件内的应力分量常常需要特别设计和优化.半导体器件设计和研发的一个趋势是以较小的尺寸持续增强性能.因此，进而提供具有增强性能的半导体器件的新颍结构和方法的 需求持续存在.本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体结构，包括：半导体衬底，具有被隔离沟槽环绕的有源区台面结构；具有第一应力的至少一个第一隔离区，位于所述隔离沟槽中；以及具有不同于所述第一应力的第二应力的至少一个第二隔离区，也位于所述隔离沟槽中，其中所述第一隔离区和所述第二隔离区的大小和位置使得能够向所述有源区台面结构施加旋转剪切应力。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】US 2005-11-14 11/164,1791.一种半导体结构，包括半导体衬底，具有被隔离沟槽环绕的有源区台面结构；具有第一应力的至少一个第一隔离区，位于所述隔离沟槽中；以及具有不同于所述第一应力的第二应力的至少一个第二隔离区，也位于所述隔离沟槽中，其中所述第一隔离区和所述第二隔离区的大小和位置使得能够向所述有源区台面结构施加旋转剪切应力。2. 如权利要求l的半导体结构，其中所迷笫一隔离区和所述笫 二隔离区接触所述有源区台面结构.3. 如权利要求l的半导体结构，其中所述笫一隔离区和所迷第 二隔离区仅其中之一接触所述有源区台面结构.4. 如权利要求1的半导体结构，其中所述隔离沟槽为浅隔离沟槽.5. 如权利要求1的半导体结构，其中所述旋转剪切应力是顺时 针方向的.6. 如权利要求l的半导体结构，其中所述旋转剪切应力是逆时 针方向的.7. 如权利要求1的半导体结构，还包括位于所述有源区台面 结构上的半导体器件.8. 如权利要求7的半导体结构，其中所迷半导体器件为场效应 晶体管.9. 一种半导体结构，包括半导体衬底，具有被隔离沟槽环绕的有源区台面结构； 具有笫一应力的至少一个第一隔离区，位于所述隔离沟槽中；以及具有不同于所述笫一应力的笫二应力的至少一个第二隔离区，也 位于所述隔离沟槽中，其中所述第一隔离区和所述第二隔离区的大小和位置使得能够向所述有源区台面结构施加旋转剪切应力，以及；所述第一隔离区和所述笫二隔离区由相同的化学成分构成...

【专利技术属性】
技术研发人员：D齐达姆巴劳，
申请(专利权)人：国际商业机器公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]