探测器装置和电荷载流子的探测方法制造方法及图纸

本发明专利技术系相关于一侦测器装置（１００），一种电荷载体之侦测方法，以及侦测电荷之ＯＮＯ场效晶体管的使用。该侦测器装置（１００）系具有具体实施于一基板（１０１）之上及／或之中的一ＯＮＯ场效晶体管，以用于侦测电荷载体，而使得该等要进行侦测的电荷载体（１０３）系可以被导入该ＯＮＯ场效晶体管层顺序（１０２）之中，一记录单元（１０４），其系被耦接至该ＯＮＯ场效晶体管，以用于记录被导入该ＯＮＯ层顺序（１０２）中之该等电荷载体（１０３）之数量及／或电荷载体型态的一电信号特征，以及一分析单元，以用于自该特征电信号决定出被导入该ＯＮＯ层顺序（１０２）中之该等电荷载体（１０３）之数量及／或电荷载体型态。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
专利技术叙述本专利技术系将相关于侦测器装置、电荷载体之侦测方法、及用于侦测电荷之ONO场效晶体管的使用。在半导体技术中，一个重要的层沈积方法系为CVD方法(”chemical vapor deposition，化学气相沈积”)，而该CVD方法系为用于自气相而在一固体基板上形成一薄层的一涂覆技术，该CVD方法的原则系在于，气体的起始材质乃于一基板上方进行导电，并且会化学地分解成为其组成成分，而由于这样的结果，即会有新的一层成长于该基板表面之上，其中，该起始材质，所谓的前驱物，系通常会进行热分解，也就是说，藉由加热该基板而进行分解，并且，该沈积系藉由所牵涉的一化学反应而加以达成，举例而言，一挥发性的气体成分系会与另一个气体进行反应，以形成沈积在该基板上的一固体材质。而为了达成比在所述之CVD方法中更低的程序温度，则通常会使用电浆辅助化学气相沈积法(PECVD)，相反地，在习知的CVD方法中，该气相反应系由于加热该基板而是藉由热能进行起始，但该PECVD方法则是以将在该基板表面附近的一气体转换成为电浆状态作为基础，而反应产物的其中之一即是沈积在该表面上的一固体物质，并且，藉此而形成一新层。然本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于侦测电荷载体的侦测器装置，其系具有：－一ＯＮＯ场效晶体管，其系形成于一基板之中及／或之上，并且，系以该等待侦测电荷载体可以被导入该ＯＮＯ层顺序之中的方式而加以建立；－一缓存单元，其系被耦接至该ＯＮＯ场效晶体管，并且， 系以其会暂存被导入该ＯＮＯ层顺序中之该等电荷载体之数量及／或电荷载体型态的一电信号特征的方式而加以建立；以及－一侦测器单元，其系用于自该特征电信号而侦测出被导入该ＯＮＯ层顺序中之该等电荷载体之该数量及／或该电荷载体型态。

【技术特征摘要】
DE 2002-3-14 10211359.91.一种用于侦测电荷载体的侦测器装置，其系具有-一ONO场效晶体管，其系形成于一基板之中及/或之上，并且，系以该等待侦测电荷载体可以被导入该ONO层顺序之中的方式而加以建立；-一缓存单元，其系被耦接至该ONO场效晶体管，并且，系以其会暂存被导入该ONO层顺序中之该等电荷载体之数量及/或电荷载体型态的一电信号特征的方式而加以建立；以及-一侦测器单元，其系用于自该特征电信号而侦测出被导入该ONO层顺序中之该等电荷载体之该数量及/或该电荷载体型态。2.根据权利要求第1项所述的该侦测器装置，其中，该缓存单元系具有一第一暂存次单元，其系被耦接至该ONO场效晶体管之两源极/汲极区域，并且，系以下列的方式而加以建立-其系可以被用于将一第一可预定电压施加在该ONO场效晶体管的该两源极/汲极区域之间；以及-其系会暂存流经该两源极/汲极区域之间之一电流的强度。3.根据权利要求第1或2项所述的该侦测器装置，其中，该缓存单元系具有一第二暂存次单元，其系被耦接至该ONO场效晶体管的闸极区域，并且，系以其可以被用以将一第二可预定电压施加至该ONO场效晶体管的该闸极区域的方式而加以建立。4.根据权利要求第1至第3项其中之一所述的该侦测器装置，其中，由该缓存单元所暂存、并以被导入该ONO层顺序中之该等电荷载体之该数量及/或该电荷载体型态作为特征的该电信号系为该ONO晶体管之临界电压由于该等电荷载体被导入该ONO层顺序之中所产生的一改变。5.根据权利要求第1至第4项其中之一所述的该侦测器装置，其中，在该ONO场效晶体管中，-该两源极/汲极区域系被形成为该基板之彼此相距一距离的两已掺杂表面区域；-该ONO层顺序系形成自该基板上的该两源极/汲极区域之间的一第一二氧化硅层，在该第一二氧化硅层之上的一氮化硅层，以及在该氮化硅层之上的一第二二氧化硅层；以及-该闸极区域系被形成为在该第二二氧化硅层上的一导电层。6.根据权利要求第1至第5项其中之一所述的该...

【专利技术属性】
技术研发人员：B克诺特，G坦普佩，
申请(专利权)人：因芬尼昂技术股份公司，
类型：发明
国别省市：DE[德国]