【技术实现步骤摘要】
本专利技术一般涉及一种，更确切的说，本专利技术涉及一种利用多晶硅的附加空置栅以。
技术介绍
随着集成电路相关制造工艺的发展以及芯片按照比例尺寸缩小的趋势，应力工程在半导体工艺和器件性能方面所起的作用越来越明显。尤其是在一些特殊的芯片类型上， 如互补金属氧化物半导体(CMOS，Complementary Metal-Oxide-Semiconductor)器件。通常，在互补金属氧化物半导体器件的复杂制备工艺流程中存在各种各样的应力，由于器件尺寸的逐步缩小，而最终留在器件沟道区中的应力对器件的稳定性能有着较大的影响。很多应力对器件的性能是有改善的，不同种类的应力对器件中的载流子(即电子和空穴)迁移率有着不同的影响作用。图1是一个金属氧化物半导体场效应晶体管的结构示意图，栅极101四周设置有侧墙隔离层106，栅氧化物层105将栅极101与沟道区104及源区102、漏区103绝缘隔离。载流子的迁移率所受到的应力层影响在当前的半导体器件的应力领域已经有所披露，例如在N型MOS (NMOS)器件100的沟道区104沟道方向上所施加的是张应力，则会对NMOS器件100中的电子...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：俞柳江，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：
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