应用于离子迁移谱探测仪的半导体加热离子迁移管结构制造技术

本发明专利技术涉及一种应用于离子迁移谱探测仪的半导体加热离子迁移管结构，属于离子迁移谱技术领域。该应用于离子迁移谱探测仪的半导体加热离子迁移管结构包括陶瓷绝缘管体和包围于所述的陶瓷绝缘管体中的管腔，且所述的陶瓷绝缘管体外覆盖有半导体电热膜。利用该半导体电热膜能够大幅提升离子迁移管的电热转换效率，进而降低离子迁移管探测仪的整体所需电能，同时，半导体电热膜本身的工作温度可达300℃以上，在清洗离子迁移管时，能有效缩短所需时间。且本发明专利技术的应用于离子迁移谱探测仪的半导体加热离子迁移管结构，其结构简单，成本低廉，应用范围也较为广泛。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及离子迁移谱
，特别涉及离子迁移谱探测
，具体是指一种应用于离子迁移谱探测仪的半导体加热离子迁移管结构。
技术介绍
离子迁移谱探测技术在微量痕迹检测领域有着广泛应用。尤其是便携式离子迁移谱探测仪在公共安检场合发挥着其独特的优势。离子迁移管是其中的一个关键部件，其性能的好坏决定着离子迁移谱探测仪性能的优劣。对离子迁移管的加热方式及其温度稳定性的控制，直接关系着离子迁移谱探测仪的电源配备和连续使用时间的长短。传统的离子迁移管加热方法是，通过包裹在离子管外面的电加热膜片3对离子管加热的。其结构如图I所示。离子迁移管的热量传递路线是从电加热膜片3传导给离子管金属管体2，再由金属管体2传导给其内的陶瓷绝缘层1，以达到给离子迁移管管腔4加温的目的。由于电加热膜片3不可能完全紧贴在离子迁移管金属管体2表面，因而热量从电加热膜片3传导到离子迁移管金属管体2的过程中存在着一定的损耗。再则，离子迁移管金属管体2上还分布着若干安装联接用的结构要素，对离子迁移管金属管体2的保温措施不可能很完善。所以暴露在外的离子迁移管金属管体2又有一部分散热的损耗。上述两点主要损耗因素的存在，决定了采用电加热膜片加热方式的热传导效率比较低。另外，受电加热膜片3自身结构中粘接胶体耐热性能的制約，电加热膜片3最高工作温度在200°C左右。这就使得在离子迁移管进行清洗程序吋，因为腔内温度不够高，必须花更长的清洗时间。
技术实现思路
本专利技术的目的是克服了上述现有技术中的缺点，提供ー种利用热喷涂エ艺在离子迁移管的陶瓷管体上喷涂半导体电热膜，从而大幅提升离子迁移管的电热转换效率，进而降低离子迁移管探测仪的整体所需电能，同时，半导体电热膜本身的工作温度可达300°C以上，在清洗离子迁移管时，能有效缩短所需时间，且结构简单，成本低廉，应用范围较为广泛的应用于离子迁移谱探测仪的半导体加热离子迁移管结构。为了实现上述的目的，本专利技术的应用于离子迁移谱探测仪的半导体加热离子迁移管结构具有如下构成该应用于离子迁移谱探测仪的半导体加热离子迁移管结构包括陶瓷绝缘管体和包围于所述的陶瓷绝缘管体中的管腔，且所述的陶瓷绝缘管体外覆盖有半导体电热膜。该应用于离子迁移谱探测仪的半导体加热离子迁移管结构中，所述的半导体电热膜为氧化锡半导体电热膜。该应用于离子迁移谱探测仪的半导体加热离子迁移管结构中，所述的半导体电热膜通过热喷涂エ艺喷涂形成于所述的陶瓷绝缘管体外表面。该应用于离子迁移谱探测仪的半导体加热离子迁移管结构中，所述的陶瓷绝缘管体的两端还分别设置有两个金属环，所述的半导体加热离子迁移管结构通过所述的两个金属环固定连接于所述的离子迁移谱探测仪的结构部件。该应用于离子迁移谱探测仪的半导体加热离子迁移管结构中，所述的两个金属环分别焊接固定于所述的陶瓷绝缘管体的两端。该应用于离子迁移谱探测仪的半导体加热离子迁移管结构中，所述的半导体电热膜覆盖于所述的两个金属环之间的陶瓷绝缘管体外表面上。采用了该专利技术的应用于离子迁移谱探测仪的半导体加热离子迁移管结构，由于其包括陶瓷绝缘管体和包围于所述的陶瓷绝缘管体中的管腔，且所述的陶瓷绝缘管体外覆盖有半导体电热膜。利用该半导体电热膜能够大幅提升离子迁移管的电热转换效率，进而降低离子迁移管探测仪的整体所需电能，同时，半导体电热膜本身的工作温度可达300°C以上，在清洗离子迁移管时，能有效缩短所需时间。且本专利技术的应用于离子迁移谱探测仪的半导体加热离子迁移管结构，其结构简单，成本低廉，应用范围也较为广泛。 附图说明图I传统的离子迁移管的层结构示意图。图2为本专利技术的应用于离子迁移谱探测仪的半导体加热离子迁移管结构示意图。具体实施例方式为了能够更清楚地理解本专利技术的技术页面，特举以下实施例详细说明。请參阅图2所示，为本专利技术的应用于离子迁移谱探测仪的半导体加热离子迁移管结构示意图。在一种实施方式中，该应用于离子迁移谱探测仪的半导体加热离子迁移管结构包括陶瓷绝缘管体I和包围于所述的陶瓷绝缘管体I中的管腔4，且所述的陶瓷绝缘管体外覆盖有半导体电热膜5。所述的半导体电热膜5通过热喷涂エ艺喷涂形成于所述的陶瓷绝缘管体I的外表面的氧化锡半导体电热膜5。在一种优选的实施方式中，所述的陶瓷绝缘管体I的两端还分别焊接固定有两个金属环6，所述的半导体加热离子迁移管结构通过所述的两个金属环6固定连接于所述的离子迁移谱探测仪的结构部件。所述的半导体电热膜5覆盖于所述的两个金属环6之间的陶瓷绝缘管体I的外表面上。在本专利技术的应用中，本专利技术的应用于离子迁移谱探测仪的半导体加热离子迁移管结构采用陶瓷焊接エ艺将两个金属环焊接于离子管绝缘陶瓷管体的两端。在金属环上可构建各种结构要素，以满足安装联接的需求。在离子管绝缘陶瓷管体的外表面用热喷涂エ艺将氧化锡半导体电热膜均匀地覆盖在其上。由此形成的离子迁移管结构的热量传递路线是半导体电热膜传给离子管绝缘陶瓷管，再由绝缘陶瓷管对离子管腔体加热。在热传递链路中少了金属管体这ー环节，由于其是半导体电热膜是直接喷涂在绝缘陶瓷管体表面的(半导体电热膜与绝缘陶瓷管体表面间是ー种无缝联接状态)，所以热量传递过程中的损耗是很小的。因此，半导体电热膜这一加热方法的电热转换效率大大地提高了，探测仪整体电能的使用就得以降低。同时，半导体电热膜本身的工作温度可达300°C以上，执行离子管清洗程序操作时，腔体温度能设定在较高的温度条件下，所以清洗的时间可以缩短很多。采用了该专利技术的应用于离子迁移谱探测仪的半导体加热离子迁移管结构，由于其包括陶瓷绝缘管体和包围于所述的陶瓷绝缘管体中的管腔，且所述的陶瓷绝缘管体外覆盖有半导体电热膜。利用该半导体电热膜能够大幅提升离子迁移管的电热转换效率，进而降低离子迁移管探测仪的整体所需电能，同时，半导体电热膜本身的工作温度可达300°C以上，在清洗离子迁移管时，能有效缩短所需时间。且本专利技术的应用于离子迁移谱探测仪的半导体加热离子迁移管结构，其结构简单，成本低廉，应用范围也较为广泛。 在此说明书中，本专利技术已參照其特定的实施例作了描述。但是，很显然仍可以作出各种修改和变换而不背离本专利技术的精神和范围。因此，说明书和附图应被认为是说明性的而非限制性的。权利要求1.一种应用于离子迁移谱探测仪的半导体加热离子迁移管结构，所述的离子迁移管结构包括陶瓷绝缘管体和包围于所述的陶瓷绝缘管体中的管腔，其特征在于，所述的陶瓷绝缘管体外覆盖有半导体电热膜。2.根据权利要求I所述的应用于离子迁移谱探测仪的半导体加热离子迁移管结构，其特征在于，所述的半导体电热膜为氧化锡半导体电热膜。3.根据权利要求I所述的应用于离子迁移谱探测仪的半导体加热离子迁移管结构，其特征在于，所述的半导体电热膜通过热喷涂エ艺喷涂形成于所述的陶瓷绝缘管体外表面。4.根据权利要求I至3中任一项所述的应用于离子迁移谱探测仪的半导体加热离子迁移管结构，其特征在于，所述的陶瓷绝缘管体的两端还分别设置有两个金属环，所述的半导体加热离子迁移管结构通过所述的两个金属环固定连接于所述的离子迁移谱探測仪的结构部件。5.根据权利要求4所述的应用于离子迁移谱探测仪的半导体加热离子迁移管结构，其特征在于，所述的两个金属环分别焊接固定于所述的陶瓷绝缘管体的两端。6.根据权利要求4所述的应用于离子迁移谱本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种应用于离子迁移谱探测仪的半导体加热离子迁移管结构，所述的离子迁移管结构包括陶瓷绝缘管体和包围于所述的陶瓷绝缘管体中的管腔，其特征在于，所述的陶瓷绝缘管体外覆盖有半导体电热膜。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：李震宇，陈勇，江洪，
申请(专利权)人：公安部第三研究所，
类型：发明
国别省市：