一种提高离子阱碰撞诱导解离性能的方法及装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种提高离子阱碰撞诱导解离(CID)性能的方法，所述离子阱包括端电极；特点是：对离子进行CID的过程中，施加在所述端电极上的电压信号包含多个频率成分，其中具有处于[(f-1)kHz，(f+1)kHz]内的频率成分，f(kHz)是要进行CID的离子的共振频率，所述电压信号是一个包含某个频率范围内的所有频率成分的宽频信号，也可以是一个频率随时间变化的扫频信号。本发明专利技术还提供了一种提高离子阱碰撞诱导解离性能的装置。本发明专利技术可消除空间电荷效应或射频束缚电压波动等带来的影响，提高了CID效率和重复性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种提高离子阱性能的方法及装置，尤其是一种提高离子阱碰撞诱导解离性能的方法及装置。
技术介绍
多级质谱分析是离子阱质谱仪的一项重要功能，在涉及物质结构分析的基因组学、蛋白组学以及制药等领域中具有举足轻重的地位。同时，多级质谱分析功能是离子阱质 谱仪相对于其他质谱仪的优势之一。多级质谱分析过程如下首先通过对目标离子(或母离子)进行隔离，然后通过碰撞诱导解离(Collision Induced Dissociation,CID)使母离子裂解,裂解后得到的碎片离子被称为子离子。子离子还可进行相同的隔离和CID过程。通过对离子CID后得到的碎片离子就可以分析出离子的结构，获得更大量的信息。目前，离子阱理论已非常成熟，这里只简要介绍与CID有关的理论。对于一个径向半径为A、轴向半径为Ztl的三维离子讲,其稳定图参数az和qz定义如下权利要求1.一种提高离子阱碰撞诱导解离性能的方法，所述离子阱包括端电极；其特征在于 对离子进行CID的过程中，施加在所述端电极上的电压信号包含两个或两个以上的频率成分，其中具有处于内的频率成分，f是要进行CID的离子的共振频率；所述电压信号是频率随时间变化的扫频信号，该扫频信号的起始频率和终止频率可设定。2.根据权利要求I所述的提高离子阱碰撞诱导解离性能的方法，其特征在于所述电压信号可通过对白噪声信号进行带通滤波得到。3.根据权利要求I所述的提高离子阱碰撞诱导解离性能的方法，其特征在于在所述电压信号中，频率成分是离散的。4.根据权利要求I所述的提高离子阱碰撞诱导解离性能的方法，其特征在于在CID过程中，所述扫频信号出现两次或两次以上。5.根据权利要求I所述的提高离子阱碰撞诱导解离性能的方法，其特征在于频率随时间变化的关系是线性或非线性的。6.根据权利要求5所述的提高离子阱碰撞诱导解离性能的方法，其特征在于当频率随时间变化的关系是非线性时，对每一个频率成分设置时间权重。7.根据权利要求6所述的提高离子阱碰撞诱导解离性能的方法，其特征在于与离子的共振频率相等概率高的频率成分的时间权重比其它频率成分要大。8.一种提高离子阱碰撞诱导解离性能的装置，所述离子阱包括端电极，所述装置包括 信号发生器，信号发生器产生的电压信号施加到所述端电极上；所述电压信号包括两个或两个以上频率成分，其中具有处于内的频率成分，f是要进行CID的离子的共振频率； 所述电压信号是频率随时间变化的扫频信号，该扫频信号的起始频率和终止频率可设定。9.根据权利要求8所述的提高离子阱碰撞诱导解离性能的装置，其特征在于在所述电压信号中，频率成分是离散的。10.根据权利要求9所述的提高离子阱碰撞诱导解离性能的装置，其特征在于在CID过程中，所述扫频信号出现两次或两次以上。11.根据权利要求8所述的提高离子阱碰撞诱导解离性能的装置，其特征在于频率随时间变化的关系是线性或非线性的。12.根据权利要求11所述的提高离子阱碰撞诱导解离性能的装置，其特征在于当频率随时间变化的关系是非线性时，对每一个频率成分设置时间权重。13.根据权利要求12所述的提高离子阱碰撞诱导解离性能的装置，其特征在于与离子的共振频率相等概率高的频率成分的时间权重比其它频率成分要大。全文摘要本专利技术涉及一种提高离子阱碰撞诱导解离(CID)性能的方法，所述离子阱包括端电极；特点是对离子进行CID的过程中，施加在所述端电极上的电压信号包含多个频率成分，其中具有处于内的频率成分，f(kHz)是要进行CID的离子的共振频率，所述电压信号是一个包含某个频率范围内的所有频率成分的宽频信号，也可以是一个频率随时间变化的扫频信号。本专利技术还提供了一种提高离子阱碰撞诱导解离性能的装置。本专利技术可消除空间电荷效应或射频束缚电压波动等带来的影响，提高了CID效率和重复性。文档编号H01J49/42GK102751162SQ20121017341公开日2012年10月24日 申请日期2010年12月31日 优先权日2010年12月31日专利技术者其他专利技术人请求不公开姓名, 刘立鹏, 吴先伟, 吴文明, 朱文明, 甘剑勤, 邱明, 郑毅 申请人:聚光科技(杭州)股份有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种提高离子阱碰撞诱导解离性能的方法，所述离子阱包括端电极；其特征在于：对离子进行CID的过程中，施加在所述端电极上的电压信号包含两个或两个以上的频率成分，其中具有处于[(f？1)kHz，(f+1)kHz]内的频率成分，f是要进行CID的离子的共振频率；所述电压信号是频率随时间变化的扫频信号，该扫频信号的起始频率和终止频率可设定。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：刘立鹏，吴文明，朱文明，郑毅，邱明，甘剑勤，吴先伟，其他发明人请求不公开姓名，
申请(专利权)人：聚光科技杭州股份有限公司，
类型：发明
国别省市：