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本发明涉及一种提高离子阱碰撞诱导解离(CID)性能的方法，所述离子阱包括端电极；特点是：对离子进行CID的过程中，施加在所述端电极上的电压信号包含多个频率成分，其中具有处于[(f-1)kHz，(f+1)kHz]内的频率成分，f(kHz)是要...该专利属于聚光科技(杭州)股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过聚光科技(杭州)股份有限公司授权不得商用。
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本发明涉及一种提高离子阱碰撞诱导解离(CID)性能的方法，所述离子阱包括端电极；特点是：对离子进行CID的过程中，施加在所述端电极上的电压信号包含多个频率成分，其中具有处于[(f-1)kHz，(f+1)kHz]内的频率成分，f(kHz)是要...