一种在金刚石表面制作稳定耐高温氢端基导电沟道的方法技术

本发明专利技术公开了一种在金刚石表面制作稳定耐高温氢端基导电沟道的方法，包括以下步骤：一、在衬底上形成高阻金刚石层；二、在高阻金刚石层的上表面经处理形成氢端基金刚石；三、将上述样品置于含有极性分子的气体、溶液或溶胶中处理，使氢端基金刚石中的氢端基充分吸附含有极性分子的气体、溶液或溶胶中的极性分子或官能团，从而在氢端基金刚石下表面10-20nm处形成p型导电沟道，在氢端基金刚石的上表面形成极性分子吸附层；四、将上述样品取出后常温淀积介质阻挡层。所述方法可使p型金刚石材料沟道内的载流子浓度和迁移率在20℃-500℃范围内保持稳定，进而实现金刚石器件在高温环境下正常工作。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种在金刚石表面制作稳定耐高温氢端基导电沟道的方法，其特征在于包括以下步骤：（1）在衬底（1）上形成高阻金刚石层（2）；（2）在高阻金刚石层的上表面经处理形成氢端基金刚石；（3）将上述经过步骤2处理后的样品置于含有极性分子的气体、溶液或溶胶中处理，使氢端基金刚石中的氢端基充分吸附含有极性分子的气体、溶液或溶胶中的极性分子或官能团，从而在氢端基金刚石的上表面之下10?20nm处形成p型导电沟道（3），在氢端基金刚石的上表面之上形成极性分子吸附层（4）；（4）将上述经过步骤3处理后的样品取出后常温淀积介质阻挡层（5），防止吸附了极性分子和官能团的氢端基金刚石表面直接暴露于环境中。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：王晶晶，冯志红，何泽召，蔚翠，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第十三研究所，
类型：发明
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