基于III族氮化物的层结构以及半导体器件制造技术

一种通过外延工艺在硅衬底上制造的基于III族氮化物的层序列，该层序列包括：至少一个掺杂的第一III族氮化物层（105），具有大于1×1018cm-3的掺杂剂浓度；第二III族氮化物层（106），具有至少50nm的厚度和小于5×1018cm-3的n型或p型掺杂剂浓度；以及有源区，由III族氮化物半导体材料制成；其中第一III族氮化物层包括从由锗、锡、铅、氧、硫、硒和碲形成的元素的组中选出的至少一种n型掺杂剂、或至少一种p型掺杂剂；并且其中有源区具有5×109cm-3以下的螺旋型或刃型位错的体积密度。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：A达德加，A克罗斯特，
申请(专利权)人：阿祖罗半导体股份公司，
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