【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种超饱和掺杂半导体薄膜的制备方法，包括如下步骤：步骤1：选择一衬底；步骤2：将衬底表面清洗干净；步骤3：在较低的生长温度下，在衬底表面沉积半导体非晶薄膜；其中，通过控制原子的沉积速率比，得到超饱和掺杂的半导体非晶薄膜；步骤4：利用超快激光对所得的超饱和掺杂半导体非晶薄膜进行激光退火，完成超饱和掺杂半导体薄膜。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：王科范，张华荣，彭成晓，曲胜春，王占国，
申请(专利权)人：中国科学院半导体研究所，
类型：发明
国别省市：
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