一种用于发射具有光子能量的光的半导体发光装置，包括：机械载体，实质上由吸收具有光子能量的光的材料制作，并且具有载体底侧和与载体底侧相反的载体顶侧；层结构，外延沉积在机械载体的载体底侧上，并且包括至少两个具有相反导电类型的半导体层的有源层...

一种通过外延工艺在硅衬底上制造的基于III族氮化物的层序列，该层序列包括：至少一个掺杂的第一III族氮化物层（105），具有大于1×1018cm-3的掺杂剂浓度；第二III族氮化物层（106），具有至少50nm的厚度和小于5×1018c...

第III族氮化物层在电子学和光电子学中的应用广泛。这种层的生长一般在如蓝宝石、SiC以及最近的Si(111)等表面上进行。此时所得到的层一般在生长方向上为极化的，或者具有c-轴取向。对于光电子学领域中的许多应用以及在SAW中的声学应用而...

本发明涉及氮化物半导体部件及其制造工艺。一种用于在硅表面上制造氮化物半导体部件的层结构的工艺包括步骤：提供具有硅表面的衬底；其中所述提供衬底的步骤包括提供厚度至少为ＤＧａＮ×ｘ的硅衬底，其中，ＤＧａＮ表示要在所述衬底上淀积的氮化物半导体...

本发明涉及具有第Ⅲ族氮化物层结构的氮化物半导体元件，该层结构外延沉积在具有第Ⅳ族衬底表面的衬底上，该第Ⅳ族衬底表面由具有立方晶体结构的第Ⅳ族衬底材料制成。当不考虑任何表面重构时，该第Ⅳ族衬底表面的单元晶格具有Ｃ２对称，但不具有比Ｃ２对称...

本发明涉及一种用于在硅表面上制造氮化物半导体部件的层结构的方法，该方法包括步骤：－制备具有硅表面的衬底；－在所述衬底的硅表面上淀积含有铝的氮化物成核层；－可选的：在所述氮化物成核层上淀积含有铝的氮化物缓冲层；－在所述氮化物成核层或者当存...

本发明涉及一种制造氮化镓或氮化镓铝单晶的方法和设备。本发明的特征在于，在高于晶体生长温度、但至少在１０００℃的温度下对镓或镓与铝进行蒸发，以及由氮气、氢气、惰性气体或这些气体的组合构成的气流通过熔融金属的表面，从而使得所述在熔融金属表面...