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本发明一般涉及一种改进晶体管载流子迁移率的半导体器件及方法，更确切的说，本发明涉及一种利用多晶硅的附加空置栅以改进晶体管载流子迁移率的半导体器件及方法。在CMOS器件中位于NMOS器件、PMOS器件的有源区周围的浅沟槽隔离结构上形成有附加空...
该专利属于上海华力微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力微电子有限公司授权不得商用。

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