改善MOS器件载流子迁移率的方法以及MOS器件制造方法技术

本发明专利技术提供一种改善MOS器件载流子迁移率的方法以及MOS器件制造方法。方法包括：栅极氧化层形成步骤，用于在衬底的器件区域上形成栅极氧化层；氮化步骤，用于对器件结构执行分耦式等离子体氮化；通过调节分耦式等离子体氮化工艺的时间和/或功率，使得氮在栅氧中的分布远离SiO2-Si衬底界面；氮化后退火步骤，用于在氮化步骤之后执行氮化后退火；其中通过控制氮化后退火的时间和/或温度，使得氮在栅氧中的分布远离SiO2-Si衬底界面；栅极形成步骤，用于形成PMOS器件的栅极以及NMOS器件的栅极；以及氮元素注入步骤，用于利用掩膜掩盖将要制成PMOS器件的区域，并暴露将要制成NMOS器件的区域，并且在布置了掩膜之后，执行氮元素注入。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造领域，更具体地说，本专利技术涉及一种改善MOS器件载流子迁移率的方法、以及采用了该改善MOS器件载流子迁移率的方法的MOS器件制造方法。
技术介绍
半导体制造行业一直致力于提高MOSFET (金属-氧化层-半导体-场效晶体管， Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，以下称为 MOS 器件)载流子迁移率。当前，业界为改善 CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor，互补金属氧化物半导体)晶体管载流子的迁移率，通常采用在制程中引入应力工程或采用不同半导体材料沟道，但这些方法大大提高了工艺复杂度。所以，希望能够提供一种能够改善MOS器件载流子迁移率而不会大大提高工艺复杂度的方法。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是针对现有技术中存在上述缺陷，提供一种不会大大提高工艺复杂度的改善MOS器件载流子迁移率的方法、以及采用了该改善MOS器件载流子迁移率的方法的MOS器件制造方法。根据本专利技术的第一方面，提供了一种改善MOS器件载流子迁移率的方法，其包括 栅本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种改善ＭＯＳ器件载流子迁移率的方法，其特征在于包括：栅极氧化层形成步骤，用于在衬底的器件区域上形成栅极氧化层，所述器件区域包括将要制成ＰＭＯＳ器件的区域以及将要制成ＮＭＯＳ器件的区域；氮化步骤，用于对器件结构执行分耦式等离子体氮化；其中，通过调节分耦式等离子体氮化工艺的时间和／或功率，使得氮在栅氧中的分布远离ＳｉＯ２－Ｓｉ衬底界面；氮化后退火步骤，用于在所述氮化步骤之后执行氮化后退火；其中通过控制氮化后退火的时间和／或温度，使得氮在栅氧中的分布远离ＳｉＯ２－Ｓｉ衬底界面；栅极形成步骤，用于形成ＰＭＯＳ器件的栅极以及ＮＭＯＳ器件的栅极；以及氮元素注入步骤，用于利用掩膜掩盖将要制成ＰＭＯＳ器...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：谢欣云，黄晓橹，陈玉文，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：31