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本发明提供一种改善MOS器件载流子迁移率的方法以及MOS器件制造方法。方法包括：栅极氧化层形成步骤，用于在衬底的器件区域上形成栅极氧化层；氮化步骤，用于对器件结构执行分耦式等离子体氮化；通过调节分耦式等离子体氮化工艺的时间和/或功率，使得氮...
该专利属于上海华力微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力微电子有限公司授权不得商用。

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