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采用具有被隔离沟槽环绕的有源区（１１）台面结构的半导体衬底的半导体结构及其制造方法。具有第一应力的第一隔离区（１２）位于隔离沟槽中。具有不同于第一应力的第二应力的第二隔离区（１６ａ，１６ｂ）也位于隔离沟槽中。第一隔离区和第二隔离区的大小和位...
该专利属于国际商业机器公司所有，仅供学习研究参考，未经过国际商业机器公司授权不得商用。

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