加热块及利用其的引线键合方法技术

本发明专利技术提供了一种用于引线键合工艺的加热块以及一种利用该加热块的键合方法。所述加热块包括：加热孔，形成在加热块的中心部分，用于对所要键合的引线框架进行加热；真空吸孔，对应于引线框架的引脚部分分布在加热孔的周围并贯穿整个加热块，用于吸附引线框架。所述加热块能够使引线框架更牢固地固定在加热块上，从而消除引线框架的引脚部分在引线键合过程中的振动和不稳定现象。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种用于引线键合工艺的真空型加热块及一种利用该真空型 加热块的引线键合方法，更具体地讲，涉及一种用以改善引线框架引脚在引 线键合过程中的振动和不稳定现象的真空型加热块以及一种利用该真空型加 热块的引线键合方法。
技术介绍
芯片的封装是为了使芯片免受机械应力、热应力、湿气、有害气体以及 放射线等外部环境的影响，这样做， 一方面保证了半导体器件最大限度地发 挥它的电学特性而正常工作，另一方面通过封装壳体将会使应用更加方便。封装中必要的装配工艺包括滑片(管芯分割)、芯片粘贴、引线键合和 模压塑封等。近来，微电子超大规模集成电路设计与制造工艺不断进步，芯片尺寸越 来越小型化，这样也就推进封装技术的不断改进和提高。而封装技术中的引 线键合工艺也成为了整个封装技术提高的关键。引线键合是指将大规模集成 电路芯片上的压焊区和引线框架上的内引脚部位用金属丝通过键合的方式连 接起来的工序。在引线键合过程中，传送部件将引线框架载入至持续加热的加热块和压 板位置之间。当引线框架的位置对准后，将压板下压，使引线框架固定在加 热块上。然后，通过超声热压焊来执行引线键合过程。键合结束后，松开压 板，通过传送部件将引线框架导出，从而完成引线4建合工艺。然而，随着芯片焊盘的小型化，促使与之配套的引线框架的引脚和键合 间距越做越小。引线键合过程中引脚顶端的振动对引线键合过程的影响非常 大，这就对引线键合过程中压板和加热块提出了更高的要求。图1是传统的加热块结构的剖面示意图。如图l所示，在封装工艺的引线键合过程中，为了保证引线框架4在键 合过程中的稳定性，在加热块2对引线框架4进行加热的同时对引线框架4起到支撑作用，并且通过压板1下压使引线框架4固定在加热块2上，并且暴露出引线框架4的引脚部分4，。加热设备(未示出)通过加热孔3对引线 框架4进行加热。然后，利用超声热压焊原理，执行引线键合工艺。在如图1所示的传统的引线键合过程中，引线框架4是通过压板1下压 的方法被固定在加热块2上。然而，在实际的生产工艺中，仅利用压板压合 来固定引线框架的效果并不好，并不能将引线框架牢固地固定在加热块上。 在现代化的生产工艺中，由于引线键合设备的工作频率快，所以在实际的生 产中容易造成引线框架的引脚部分产生小幅度振动。在引脚尺寸非常小的情 况下，这种振动很容易影响整个工艺，并导致产品良率下降。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种可以能够使引线框架更牢固地固定在加热块 上的加热块以及利用该加热块的引线键合方法。本专利技术的目的在于提供一种能够消除引线框架的引脚部分在引线键合过 程中的振动和不稳定现象的加热块及利用该加热块的引线键合方法。为了实现上述目的，本专利技术提供了一种用于引线键合工艺的加热块，包 括加热孔，形成在加热块的中心部分，用于对所要键合的引线框架进行加 热；真空吸孔，对应于引线框架的引脚部分分布在加热孔的周围并贯穿整个 加热块，用于吸附引线框架。优选地，所述加热块的背面可设置有真空部分，所述真空部分与真空吸 孔连通，用于使真空吸孔处于真空状态。优选地，所述真空部分的背面可设置有真空泵接口，用于与真空泵连接， 以使真空部分和真空吸孔处于真空状态。优选地，所述真空部分可呈环状。优选地，所述真空吸孔可呈^:射状分布。优选地，所述真空吸孔的布局可由引线框架的引脚部分的布局确定。 优选地，在加热块的上表面上可形成有第一凸台和第二凸台，第一凸台形成在加热块的中心部分，用于支撑将被贴合的芯片，第二凸台形成在第一凸台的周围，用于支撑引线框架。优选地，所述加热孔可形成在第一凸台上，所述真空吸孔可形成在第二凸台上。为了实现上述目的，本专利技术还提供了一种引线键合的方法，包括的步骤有确认引线框架的引脚部分与加热块的真空吸孔重合;将压板下压，固定 引线框架；利用加热块的真空吸孔吸附引线框架的引脚部分；执行引线键合 过程；释放引线框架的引脚部分。优选地，所述加热块的背面可设置有真空部分，所述真空部分与真空吸 孔连通，用于使真空吸孔处于真空状态。优选地，所述真空部分的背面可设置有真空泵接口 ，用于与真空泵连接， 以使真空部分和真空吸孔处于真空状态。优选地，利用加热块的真空吸孔吸附引线框架的引脚部分的步骤可包括 打开真空泵，使真空吸孔处于真空状态来吸附引线框架的引脚部分。优选地，释放引线框架的引脚部分的步骤可包括关闭真空泵，去除真空 吸孔的真空状态，从而释放引线框架的引脚部分。优选地，可在释放引线框架的引脚部分之后，松开压板，去除对引线框 架的固定。优选地，可在松开压板之后，将引线框架载入到引线框架盒中。优选地，该方法还可包括在确认引线框架的引脚部分与加热块的真空 吸孔重合的步骤之前，将引线框架从引线框架盒载入至芯片键合区域。优选地，确认引线框架的引脚部分与加热块的真空吸孔重合的步骤可包 括确认引线框架的引脚部分与加热块的真空吸孔是否重合，如果重合，则将 压板下压；如果不重合，则继续调整位置直到重合为止。优选地，所述真空吸孔可呈放射状分布。优选地，所述真空吸孔的布局可由引线框架的引脚部分的布局确定。优选地，所述真空部分可呈环状。优选地，所述引线键合过程可利用金属线进行键合。优选地，所述金属线可为金线。附图说明通过结合附图对实施例进行下面的描述，本专利技术这些和/或其他方面和优 点将会变得清楚和更易于理解，其中 图1是传统的加热块结构的剖视图2是根据本专利技术示例性实施例的真空型加热块的正面示意图3是根据本专利技术示例性实施例的真空型加热块的剖面示意图； 图4是根据本专利技术示例性实施例的真空型加热块的背面示意图； 图5是根据本专利技术的示例性实施例的引线键合的方法。 将在接下来的描述中部分阐述本专利技术另外的方面和/或优点，还有一部分 通过描述将是清楚的，或者可以经过本专利技术的实施而得知。具体实施例方式现在将详细地描述本专利技术的实施例，其例子显示在附图中，其中，相同 的标号始终表示同一部件。以下，通过参考附图来描述实施例以解释本专利技术。 为了清晰，省略对公知结构和功能的详细描述。图2是根据本专利技术示例性实施例的真空型加热块的正面示意图。图3是 根据本专利技术示例性实施例的真空型加热块的剖面示意图。参照图2和图3， #4居本专利技术示例性实施例的加热块2包括加热孔3和 真空吸孔5。在加热块2的上表面上，形成有凸台2a和2b。凸台2b形成在 加热块2的上表面的中心部分处，用于支撑将被贴合的芯片(未示出)。凸台 2a形成在凸台2b的周围，用于支撑引线框架4。加热块2的加热孔3位于加 热块2的中心部分处，即，形成在凸台2b上，而加热块2的真空吸孔5位于 加热孔3的周围，即形成在凸台2a上。并且，优选地，真空吸孔5呈放射状 分布。更具体地讲，真空吸孔5的位置与压板1 (见图3)下压后所暴露出来 的引线框架4的引脚部分4，的位置相对应(见图3)。由于真空吸孔5的作用是将引线框架4的引脚部分4，牢固地吸附在加热 块2上，具体地讲，吸附在加热块2的凸台2a上，所以真空吸孔5的布局取 决于引线框架4的引脚部分4，的布局。从图3中可以清楚地看出，通过压板l的下压，引线框架4被固定在加 热块2的凸台2a上并暴露出引脚部分4，。 在加热块2对引线框架4进行加 热的同时，加热块2的凸台2a支撑引线框架4。根据本专利技术示例性实本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于引线键合工艺的加热块，包括：　加热孔，形成在加热块的中心部分，用于对所要键合的引线框架进行加热；　真空吸孔，对应于引线框架的引脚部分分布在加热孔的周围，并贯穿整个加热块，用于吸附引线框架的引脚部分。

【技术特征摘要】
1.一种用于引线键合工艺的加热块，包括加热孔，形成在加热块的中心部分，用于对所要键合的引线框架进行加热；真空吸孔，对应于引线框架的引脚部分分布在加热孔的周围，并贯穿整个加热块，用于吸附引线框架的引脚部分。2、 根据权利要求1所述的加热块，其中，所述加热块的背面设置有真空 部分，所述真空部分与真空吸孔连通，用于使真空吸孔处于真空状态。3、 根据权利要求2所述的加热块，其中，所述真空部分的背面设置有真 空泵接口，用于与真空泵连接，以使真空部分和真空吸孔处于真空状态。4、 根据权利要求2所述的加热块5、 根据权利要求1所述的加热块6、 根据权利要求1所述的加热块 架的引脚部分的布局确定。7、 根据权利要求1所述的加热块 一凸台和第二凸台，第一凸台形成在加热块的中心部分，用于支撑将被贴合 的芯片，第二凸台形成在第一凸台的周围，用于支撑引线框架。8、 根据权利要求7所述的加热块，其中，所述加热孔形成在第一凸台上， 所述真空吸孔形成在第二凸台上。9、 一种引线键合的方法，包括的步骤有 确认引线框架的引脚部分与加热块的真空吸孔重合； 将压板下压，固定引线框架； 利用加热块的真空吸孔吸附引线框架的引脚部分； 执行打线过程； 释放引线框架的引脚部分。10、 根据权利要求9所述的引线键合的方法，其中，所述加热块的背面 设置有真空部分，所述真空部分与真空吸孔连通，用于使真空吸孔处于真空 状态。11、 根据权利要求IO所述的引线键合的方法，其中，所述真空部分的背 面设置有真空泵接口，用于与真空泵连接，以使真空部分和真空吸孔处于真,其中，所述真空部分呈环状。，其中，所述真空吸孔呈放射状分布。，其中...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈强，刘一波，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，三星半导体中国研究开发有限公司，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]