热敏电阻芯片及其制造方法技术

本发明专利技术公开了一种热敏电阻芯片，其包括一基板、一第一电极、一第二电极、一热敏电阻层与一第一缓冲层。基板具有一第一表面。第一电极配置于第一表面上。第一缓冲层覆盖至少部分第一电极，且热敏电阻层至少覆盖第一缓冲层。第一缓冲层的熔点分别大于热敏电阻层的烧结温度与第一电极的熔点，且第一电极通过第一缓冲层与热敏电阻层电性连接。第二电极与第一电极间隔设置且与热敏电阻层电性连接。上述热敏电阻芯片的电性表现较佳。此外，一种热敏电阻芯片的制造方法亦被提出。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是有关于一种，且特别是有关于一种具有 缓冲层(buffer layer)的热敏电阻芯片(thermistor chip)及其制造方法。
技术介绍
热敏电阻芯片的电阻值会随温度变化而改变。热敏电阻芯片依其电阻值随温 度变化的情形，主要可分为电阻值与温度成反比变化的负温度系数(negative temperature coefficient, NTC)热敏电阻芯片及电阻值与温度成正比变化的正温 度系数(positive temperature coefficient, PTC)热敏电阻芯片两种。请参考图1，传统的热敏电阻芯片IOO包括一基板(substrate) 110、 一第一 电极(electrode) 120、 一第二电极130、 一热敏电阻层(thermistor layer) 140、 两外部电极(external electrode) 150、两背面电极(back electrode) 160以 及一保护层(protective layer) 170。其中，基板110具有第一表面112、相对 于第一表面112的第二表面IM及连接第一表面112及第二表面114的两端本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种热敏电阻芯片，包括：　一基板，具有一第一表面；　一第一电极，配置于该第一表面上；　一第一缓冲层，覆盖至少部分该第一电极；以及　一热敏电阻层，至少覆盖该第一缓冲层，其中该第一缓冲层的熔点分别大于该热敏电阻层的烧结温度与该第一电极的熔点，且该第一电极通过该第一缓冲层与该热敏电阻层电性连接；以及　一第二电极，与该第一电极间隔设置且与该热敏电阻层电性连接。

【技术特征摘要】
1. 一种热敏电阻芯片，包括一基板，具有一第一表面；一第一电极，配置于该第一表面上；一第一缓冲层，覆盖至少部分该第一电极；以及一热敏电阻层，至少覆盖该第一缓冲层，其中该第一缓冲层的熔点分别大于该热敏电阻层的烧结温度与该第一电极的熔点，且该第一电极通过该第一缓冲层与该热敏电阻层电性连接；以及一第二电极，与该第一电极间隔设置且与该热敏电阻层电性连接。2. 如权利要求1所述的热敏电阻芯片，其特征在于，该第一缓冲层的熔点大 于或等于摄氏1400度。3. 如权利要求1所述的热敏电阻芯片，其特征在于，该第一缓冲层的材质包 括镍、钼、钌或包含至少上述一种金属的合金。4. 如权利要求1所述的热敏电阻芯片，其特征在于，该第一电极的材质包括 银，且第一电极中银的重量百分比为85%以上。5. 如权利要求1所述的热敏电阻芯片，其特征在于，该第一缓冲层的厚度介 于1000埃与3000埃之间。6. 如权利要求1所述的热敏电阻芯片，其特征在于，该热敏电阻层是利用厚 膜制程形成，该第一缓冲层是利用薄膜制程形成。7. 如权利要求1所述的热敏电阻芯片，其特征在于，该热敏电阻层的烧结温 度是介于摄氏850度与摄氏950度之间。8. 如权利要求1所述的热敏电阻芯片，其特征在于，还包括一玻璃保护层及 一聚合物保护层，其中该玻璃保护层至少覆盖该热敏电阻层，该聚合物保护层至少 覆盖该玻璃保护层。9. 如权利要求1所述的热敏电阻芯片，其特征在于，该第一电极直接配置于 该第一表面上，该第一缓冲层的一端直接覆盖于部分该第一电极上，该第一缓冲层 的另一端延伸至直接覆盖部分该第一表面上，该热敏电阻层的一端直接覆盖该第一 缓冲层上，该热敏电阻层的另一端延伸至直接覆盖于部分该第一表面上，该第二电极的一端直接覆盖于部分该热敏电阻层上，且该第二电极的另一端延伸至直接覆盖 于部分该第一表面上。10. 如权利要求1所述的热敏电阻芯片，其特征在于，还包括一第三电极，配 置于该热敏电阻层内。11. 如权利要求IO所述的热敏电阻芯片，其特征在于，还包括一第三缓冲层， 覆盖至少部分该第三电极，且该第三缓冲层的熔点分别大于该热敏电阻层的烧结温 度与该第三电极的熔点。12. 如权利要求1...

【专利技术属性】
技术研发人员：王钟雄，宋玉良，王平，戴伟，
申请(专利权)人：乾坤科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]