需要刷新工作的半导体存储器制造技术

半导体存储器包含决定刷新时的刷新周期的刷新定时器３８，刷新定时器３８由电压调整电路５１、环形振荡器５２和计数器５３构成。电压调整电路５１发生具有正的温度特性的偏置电压ＢＩＡＳＳ。环形振荡器５２根据偏置电压ＢＩＡＳＳ使脉冲信号ＰＨＹ０的振荡周期变化。计数器５３以规定数对脉冲信号ＰＨＹ０进行计数，发生进行刷新工作用的刷新信号ＰＨＹＳ。其结果，半导体存储器根据温度变化使刷新周期变化，以适当的刷新周期进行刷新工作。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体存储器，特别是涉及需要刷新工作的半导体存储器。
技术介绍
伴随电子装置的小型化和低功耗化，对于安装在这些电子装置上的半导体存储器的低功耗化的要求越来越严格。特别是，在作为半导体存储器的代表性的一个的DRAM(动态随机存取存储器)中，由于必须常时地进行数据保持用的刷新工作，故通过以适当的周期进行刷新工作，可大幅度地减少功耗。在DRAM中的刷新工作中，在成为刷新对象的每一个存储单元中周期性地进行放大和再写入来保持存储数据。一般来说，在刷新工作中，同时对连接到由行地址选择的字线上的整个存储单元进行刷新。此外，在现有的DRAM中，作为与电池保护间隔期间等对应的备用模式，具备保持存储数据的所谓的自刷新模式。在该自刷新模式中，在内部自动地发生成为刷新对象的行地址，在DRAM内部自动地进行字线的转换。再者，根据由内部的刷新定时器周期性地发生的刷新信号，依次在规定的每个刷新周期中进行刷新工作。进行刷新工作的刷新周期由存储单元能保持数据的时间来决定，该数据保持时间依赖于存储单元的漏泄电流。在对温度变化敏感的存储单元中，温度每增加100℃，存储单元的漏泄电流增加3个数量级弱。因而本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体存储器，其特征在于具备：存储单元阵列，包含排列成行列状的多个存储单元；以及刷新控制电路，为了保持在上述多个存储单元中被存储的存储信息，周期性地进行刷新工作，上述刷新控制电路包含：刷新定时器，决定刷新周期，在上述每个 刷新周期中发生刷新信号；以及刷新地址发生电路，根据上述刷新信号依次发生指定成为上述刷新工作的对象的存储单元行用的刷新行地址，上述刷新定时器由下述部分构成：电压调整电路，根据温度的下降，使用差分放大电路来调整输出电压；振荡电路 ，从上述电压调整电路接受上述输出电压，发生根据上述输出电压变低的情况使发生周期变长的内部...

【技术特征摘要】
JP 2002-5-22 147969/021.一种半导体存储器，其特征在于具备存储单元阵列，包含排列成行列状的多个存储单元；以及刷新控制电路，为了保持在上述多个存储单元中被存储的存储信息，周期性地进行刷新工作，上述刷新控制电路包含刷新定时器，决定刷新周期，在上述每个刷新周期中发生刷新信号；以及刷新地址发生电路，根据上述刷新信号依次发生指定成为上述刷新工作的对象的存储单元行用的刷新行地址，上述刷新定时器由下述部分构成电压调整电路，根据温度的下降，使用差分放大电路来调整输出电压；振荡电路，从上述电压调整电路接受上述输出电压，发生根据上述输出电压变低的情况使发生周期变长的内部信号；以及刷新信号发生电路，根据上述内部信号发生上述刷新信号。2.如权利要求1中所述的半导体存储器，其特征在于如果温度比规定值低，则上述电压调整电路使上述输出电压为恒定值。3.如权利要求2中所述的半导体存储器，其特征在于上述电压调整电路由下述部分构成第1恒定电流电路，根据具有第1温度特性的第1电阻的电阻值，输出第1电压；第2恒定电流电路，根据具有比上述第1电阻具有的温度梯度大的正的第2温度特性的第2电阻的电阻值，输出第2电压；温度校正电路，将上述第2电压与上述第1电压比较，根据该比较结果，输出具有正的温度特性的第3电压；以及偏置电压输出电路，以适合于上述刷新周期的温度特性的方式变换上述第3电压，以输出上述输出电压。4.如权利要求3中所述的半导体存储器，其特征在于上述偏置电压输出电路在温度比上述规定值低时...

【专利技术属性】
技术研发人员：冈本武郎，市口哲一郎，米谷英树，长泽勉，山内忠昭，诹访真人，松本淳子，田增成，
申请(专利权)人：三菱电机株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]