用于测试存储器件的方法技术

本发明专利技术公开了一种通过仅仅在激活之后才自动执行预充电来利用长周期时钟信号测试存储器件的方法。在该方法中，仅仅在施加了用于激活存储体的信号时的外部信号的下降沿，才自动产生用于对存储器件的存储体进行预充电的信号。因此，本发明专利技术确保了存储器件的稳定测试，从而缩短了测试时间。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种，并且特别涉及一种通过仅仅在激活之后才自动执行预充电来利用长周期时钟信号(long-term clock signal)测试存储器件的方法。
技术介绍
如本领域中公知的，在存储器件作为最终产品发行之前，要在特定条件下对存储器件进行严格的测试。这种测试之一，就是在比那些实际施加到该设备的条件更恶劣的条件下，在圆晶片级对存储器件所执行的老化测试。在存储器芯片被提供给最终用户之前，该老化测试在较高温度下施加较高电压，以检测这些存储器芯片中存在的任何缺陷，并且因此保证存储器件的可靠性和生产能力。对存储器件进行的老化测试是利用老化系统来执行的。在现有技术中，随着存储器件的工作频率增加，需要购买新的老化系统来测试这些器件，因此导致了测试费用的增加。在现有技术中，为了解决该成本问题，利用在低频工作的系统来测试在高频工作的存储器件。这样的测试通常需要长周期时钟(低频时钟)“tm_ltck”的测试模式。下面将结合附图1对存储器件的一般操作做出详细的说明。图1为表示当存储器件(例如，SDRAM)正常工作时该存储器件的激活(activation)和预充电的时序图。参考图1，CLK为外部时钟信号。tCLK指CLK的周期。CMD为命令信号。ACT指激活命令，而PCG指预充电命令。tm_ltck为测试模式长周期时钟的缩写，它指的是长周期时钟信号的测试模式。atvp是激活脉冲的缩写，它指的是根据ACT命令产生的用于执行激活命令的脉冲信号。pcgp代表根据PCG命令产生的用于执行预充电命令的脉冲信号。如图1所示，当tm_ltck为低电平时，也就是，当利用长周期时钟的测试模式被禁止时，存储器件响应于ACT命令信号而产生用于激活存储器件的atvp信号，并且响应于PCG命令信号而产生用于给存储器件预充电的pcgp信号。然而，如上所述，当使用以低频驱动的老化系统时，将在长周期时钟信号的测试模式下测试高频存储器件。图2表示在长周期时钟信号的测试模式中的激励和预充电的时序图。如图2所示，在tm_ltck为高电平的测试模式下，使用从在低频工作的老化系统所输出的CLK。当在长周期时钟信号(长tCK)的上升沿施加ACT命令时，存储器件产生用于执行低激活(low activation)的atvp信号。随后，存储器件在长周期时钟信号的下降沿自动产生pcgp信号，以执行预充电操作。参考图2对tm_ltck的高电平激活进行详细的说明。当在外部时钟信号1的上升沿施加激活命令时，激活存储器件中的atvp信号以执行低激活。在经过时间周期tRAS之后，在外部时钟信号1的下降沿激活存储器件中的pcgp信号，以自动执行预充电。因此，能够在外部时钟信号2的上升沿施加另一个激活命令。换句话说，有可能在缩减的测试时间内，利用在低频工作的系统对存储器件执行老化测试。现在解释tm_ltck的低电平激活。当在外部时钟信号1的上升沿施加激活命令时，激活存储器件中的atvp信号以执行低激活。在经过时间周期tRAS之后，在外部时钟信号2的上升沿施加预充电命令，以激活存储器件中的pcgp信号以及执行预充电。然后，在外部时钟信号3的上升沿施加另一个命令，例如激活命令。当利用在低频工作的系统来测试存储器件时，需要减小tCK以最小化tRAS。在这种情况下，就不能够缩减总测试时间。如图2所示，当施加长周期时钟信号来测试存储器件时，使该长周期时钟信号与外部时钟信号的下降沿同步，以自动执行预充电操作，而不施加单独的预充电命令。然而，这种自动预充电会引起如图3中所示的问题。图3是表示现有技术的在长周期时钟信号的测试模式中的激活和预充电操作的时序图。根据现有技术，即使当不需要进行预充电时，仍然使长周期时钟信号与外部时钟信号的下降沿同步以自动执行预充电。由于在进入tm_ltck测试模式(即tm_ltck＝高电平)之后，即使在不需要预充电的操作中，例如在MRS(mode register set，模式寄存器组)或者EMRS(extended mode register set，扩展模式寄存器组)操作中，仍然在外部时钟CLK的下降沿自动执行预充电，因此，有可能存在将导致测试结果的可靠性降低的不正确的操作或者不稳定的测试模式操作。
技术实现思路
因此，为解决现有技术中存在的上述问题而做出本专利技术，并且本专利技术的目的是提供一种通过仅仅在需要时才执行预充电来测试存储器件的方法。为了实现这个目的，提供一种，该方法通过仅仅当在外部时钟信号CLK的上升沿施加激活命令以执行低激活时，才在外部时钟信号CLK的下降沿执行预充电，来测试存储器件。附图说明通过以下结合附图进行的详细说明，本专利技术的上述和其他的目的、特征和优点将会更加清楚，其中图1是表示当存储器件正常工作时，根据现有技术的激活和预充电操作的时序图。图2是表示根据现有技术在长周期时钟信号的测试模式中的激活和预充电的时序图。图3是表示根据现有技术在长周期时钟信号的测试模式中的激活和预充电操作的时序图。图4是表示根据本专利技术在长周期时钟信号的测试模式中的激活和预充电操作的时序图。图5表示仅仅在激活时才执行预充电的预充电脉冲信号发生器的一个例子。图6是外部时钟信号和内部时钟信号的波形。图7表示长周期时钟预充电控制器的一个例子。图8是表示在根据本专利技术的中产生预充电信号的过程的波形。具体实施例方式在此，将参考附图说明本专利技术的优选实施例。在接下来的描述和附图中，相同的标号用于指示相同或者相似的元件，因此将省略对相同或者相似元件的重复描述。本专利技术的第一个实施例提供一种，其包括步骤将外部时钟施加到存储器件中；施加用于控制存储器件的操作的命令信号；产生对应于命令信号的第一脉冲信号；并且施加用于测试存储器件的测试模式信号。如果测试模式是第一电平，仅仅当命令信号是预充电命令信号时，才给存储器件的存储体预充电。如果测试模式是在第二电平，那么即使当命令信号不是预充电命令信号时，也自动执行存储体的预充电操作。在第二电平测试模式中，在施加了用于激活存储器件的存储体的激活命令信号之后，当经过预定周期的时间时，自动执行预充电操作。同样，在第二电平测试模式中，通过与外部时钟的下降沿同步产生的第二脉冲信号，来触发预充电操作。在本专利技术的第一实施例中，如果测试模式是在第一电平，那么通过与外部时钟的下降沿同步产生的第二脉冲信号来触发预充电操作。本专利技术的第二实施例提供一种用于测试具有多个存储体的存储器件的方法，包括步骤将外部时钟施加到存储器件中；并且施加用于控制存储器件操作的命令信号。如果用于存储器件的测试模式信号被解除激活(deactivate)，那么仅仅当命令信号为预充电命令时，才执行多个存储体的预充电。如果测试模式信号被激活，那么在施加了用于激活存储体的激活命令信号之后，当经过预定周期时间时，就自动执行存储体的预充电。根据本专利技术，当施加了用于激活存储体的信号时，仅仅在外部时钟信号的下降沿自动产生用于给存储器件的存储体预充电的信号。当没有施加用于激活存储器件的存储体的信号时，在外部时钟信号的下降沿不执行预充电操作。根据本专利技术，表示存储体的低激活的信号，通过在外部时钟信号的上升沿施加激活命令而被激活，并且通过在外部时钟信号的下降沿自动执行预充电而被解除激活。外部时钟为具有比存储器件的工作频率低本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于测试存储器件的方法，包括步骤：将外部时钟施加到存储器件中；施加用于控制存储器件的操作的命令信号；产生相应于命令信号的第一脉冲信号；以及施加用于测试存储器件的测试模式信号，其中，如果测试模式处于 第一电平，那么仅仅当命令信号为预充电命令信号时，才对存储器件的存储体进行预充电，并且如果测试模式处于第二电平，那么即使当命令信号不是预充电命令信号时，也自动执行存储体的预充电操作。

【技术特征摘要】
KR 2003-6-20 40243/031.一种用于测试存储器件的方法，包括步骤将外部时钟施加到存储器件中；施加用于控制存储器件的操作的命令信号；产生相应于命令信号的第一脉冲信号；以及施加用于测试存储器件的测试模式信号，其中，如果测试模式处于第一电平，那么仅仅当命令信号为预充电命令信号时，才对存储器件的存储体进行预充电，并且如果测试模式处于第二电平，那么即使当命令信号不是预充电命令信号时，也自动执行存储体的预充电操作。2.根据权利要求1的方法，其中，如果所述测试模式处于第二电平，那么在施加了用于激活存储器件的存储体的激活命令信号之后，当经过预定周期时间时，自动执行预充电操作。3.根据权利要求2的方法，其中，如果所述测试模式处于第二电平，那么通过与所述外部时钟的下降沿同步地产生的第二脉冲信号，来触发预充电操作。4.根据权利要求1的方法，其中，如果所述测试模式处于第一电平，那么通过与所述外部时钟的下降沿同步地产生的第二脉冲信号，来触发预充电操作。5.一种用于测试具有多个存储体的存储器件的方法，包括步骤将外部时钟施加到存储器件中；并且施加用于控制存储器件...

【专利技术属性】
技术研发人员：金泰润，
申请(专利权)人：海力士半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]