半导体器件制造技术

技术编号:3084854 阅读:97 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本发明专利技术的一个目的是提供一种半导体器件,在该半导体器件中,即使地址选择被延迟了,但通过避免误动作仍可以准确地进行数据的读写。本发明专利技术的半导体器件具有三个部分:数据保持单元、预充电单元和延迟单元。数据保持单元包括多个存储器单元。预充电单元包括预充电电位线、预充电信号线和多个开关。延迟单元包括多个晶体管。此外,它还具有一个或两个地址选择单元,其中还包括列解码器和行解码器以及具有多个象素的显示单元,以及上述三个部分。(*该技术在2024年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

技术介绍
1.专利
本专利技术涉及一种具有半导体元件的半导体器件,尤其是,本专利技术涉及一种可能通过无线通讯进行数据通讯的半导体器件(下文中称之为“ID标签”)。2.相关技术背景近年来,具有半导体元件的半导体器件已经广泛地应用于诸如IC卡和诸如计算机、移动终端等等的电子设备的各个领域,以改进使之具有高的容量。半导体器件具有存储器单元阵列,该阵列可以包括多个存储器单元,且每个存储单元都在一个区域中包括一个存储器元件,在该区域中,位线和字线可通过一个绝缘体相互交叉,以及还包括一个预充电电路,用于在字线没有选择的状态中,将位线的电位设置为任意的电位。随着半导体器件容量的不断增加,由于写入线变得更长引起的电阻或者采用大规模的解码器的复杂性,会造成地址选择中的延迟。于是,在进行位线的预充电操作时就产生了字线的选择状态。因此,会因为所引起的故障,使得在存储器中的数据被重新写入或者被破坏。换言之,数据的读和写不能被准确地执行。专利技术的基本内容针对上述常见的问题,本专利技术的一个目的是提供一种半导体器件,一种ID标签器件,在该器件中,通过防止故障,可以正确地进行数据的读写,即使出现地址选择的延迟本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件,其特征在于,它包括:数据保持单元,具有多个存储器单元;预充电单元,与数据保持单元电连接,并具有:预充电电位线;电连接着预充电电位线的多个开关;和电连接着预充电电位线的预充电信号线;以及 ,延迟单元,电连接着预充电信号线并且具有多个晶体管。

【技术特征摘要】
JP 2003-12-12 2003-4151841.一种半导体器件,其特征在于,它包括数据保持单元,具有多个存储器单元;预充电单元,与数据保持单元电连接,并具有预充电电位线;电连接着预充电电位线的多个开关;和电连接着预充电电位线的预充电信号线;以及,延迟单元,电连接着预充电信号线并且具有多个晶体管。2.一种半导体器件,其特征在于,它包括数据保持单元,具有多个存储器单元;地址选择单元,电连接着数据保持单元并且具有列解码器和行解码器;预充电单元,与数据保持单元电连接,并具有预充电电位线;电连接着预充电电位线的多个开关;和电连接着预充电电位线的预充电信号线;以及,延迟单元,电连接着预充电信号线并且具有多个晶体管。3.一种半导体器件,其特征在于,它包括数据保持单元,具有多个存储器单元;预充电单元,与数据保持单元电连接,并具有预充电电位线;电连接着预充电电位线的多个开关;和电连接着多个开关的预充电信号线;延迟单元,电连接着预充电信号线并且具有多个晶体管;中央处理单元,电连接着延迟单元;以及,显示单元,电连接着中央处理单元并且具有多个象素。4.一种半导体器件,其特征在于,它包括数据保持单元,具有多个存储器单元;地址选择单元,电连接着数据保持单元并且具有列解码器和行解码器;预充电单元,与数据保持单元电连接,并具有预充电电位线;电连接着预充电电位线的多个开关;和电连接着预充电电位线的预充电信号线;延迟单元,电连接着预充电信号线并且具有多个晶体管;中央处理单元,电连接着延迟单元和地址选择单元;以及,显示单元,电连接着中央处理单元并且具有多个象素。5.根据权利要求1所述半导体器件,其特征在于,所述多个存储器单元中的每一个都在一个区域中包括一个存储器元件,在该区域中,位线和字线通过绝缘体相互交叉。6.根据权利要求2所述半导体器件,其特征在于,所述多个存储器单元中的每一个都在一个区域中包括一个存储器元件,在该区域中,位线和字线通过绝缘体相互交叉。7.根据权利要求3所述半导体器件,其特征在于,所述多个存储器单元中的每一个都在一个区域中包括一个存储器元件,在该区域中,位线和字线通过绝缘体相互交叉。8.根据权利要求4所述半导体器件,其特征在于,所述多个存储器单元中的每一个都在一个区域中包括一个存储器元件,在该区域中,位线和字线通过绝缘体相互交叉。9.根据权利要求5所述半导体器件,其特征在于,所述存储器元件是选自一个晶体管、一个电容器元件和一个电阻器元件中的一个或组合。10.根据权利要求6所述半导体器件,其特征在于,所述存储器元件是选自一个晶体管、一个电容器元件和一个电阻器元件中的一个或配套。11.根据权利要求7所述半导体器件,其特征在于,所述存储器元件是选自一个晶体管、一个电容器元件和一个电阻器元件中的一个或配套。12.根据权利要求8所述半导体器件,其特征在于,所述存储器元件是选自一个晶体管、一个电容器元件和一个电阻器元件中的一个或配套。13.根据权利要求5所述半导体器件,其特征在于,所述位线电连接着对应于多个开关中的一个开关。14.根据权利要求6所述半导体器件,其特征在于,所述位线电连...

【专利技术属性】
技术研发人员:盐野入丰热海知昭加藤清
申请(专利权)人:株式会社半导体能源研究所
类型:发明
国别省市:JP[日本]

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