调节磁存储单元的写入电流的装置和方法制造方法及图纸

本发明专利技术包括调节磁存储单元写入电流的装置和方法。所述方法包括：通过对磁存储单元写入电流的写入电流偏差求和来修正磁存储单元的写入电流；以及确定利用修改后的磁存储单元写入电流写入磁存储单元的操作是否导致写入误差条件。如果出现写入误差条件，那么所述方法包括将磁存储单元写入电流增量或者将磁存储单元写入电流减量，直至消除所述写入误差条件为止。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术一般地涉及电子存储器。更准确地说，本专利技术涉及调节磁存储单元写入电流的装置和方法。
技术介绍
非易失性存储器是一种即使存储器的电源断电，也能保持其内容(数据)的存储器。磁随机访问存储器(MRAM)是一种非易失性存储器。在MRAM中，通过设置MRAM中MRAM单元的磁场取向来将逻辑状态或位保存在MRAM中。即使MRAM单元的电源断电磁场取向仍然保持。图1示出MRAM单元100。MRAM存储单元100包括软磁性区120、介质区130和硬磁性区110。软磁性区120中的磁化方向是不固定的，并可以假设为由箭头M1所示的两种稳定的取向。这两种取向或者与硬磁性区110的磁性取向平行，或者与它逆平行，并确定MRAM存储单元100的逻辑状态。硬磁性区110(也称为固定(pinned)磁化区)具有箭头M1所描述的固定磁性取向。介质区130通常在软磁性区120和硬磁性区110之间提供电绝缘。MRAM存储单元通常位于字线(ML)和位线(BL)的交叉点附近。通过控制流经字线和位线的电流方向(因而，就是通过电流产生的相应的磁场)来设置(写入)MRAM存储单元的磁性取向。另外，写入线也可以用于读本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于写入存储单元的装置，它包括：写入电流发生器（５１０），用于产生耦合到存储单元阵列（５２０）的写入电流；阈值检测器（５３０），用于在所述写入电流比最大写入电流的阈值大或比最小的写入电流阈值小时将控制指示符反馈到所述写入电流发生器（５１０）；。

【技术特征摘要】
US 2003-12-2 10/725,7461.一种用于写入存储单元的装置，它包括写入电流发生器(510)，用于产生耦合到存储单元阵列(520)的写入电流；阈值检测器(530)，用于在所述写入电流比最大写入电流的阈值大或比最小的写入电流阈值小时将控制指示符反馈到所述写入电流发生器(510)；2.如权利要求1所述的装置，其特征在于所述阈值检测器(530)通过对所述写入电流的写入电流偏差求和来确定所述写入电流是否大于最大写入电流阈值或者小于最小写入电流阈值，并且确定是否出现写入误差。3.如权利要求2所述的装置，其特征在于所述写入电流偏差增大了所述写入电流，据此确定是否应该减小所述写入电流的幅度。4.如权利要求2所述的装置，其特征在于所述写入电流偏差减小了所述写入电流，据此确定是否应该增大所述写入电流的幅度。5.一种用于调节磁存储单元写入电流的方法，它包括通过对所述磁存储单元写入电流的写入电流偏差求和来修正磁存储单元写入电流；确定利用所述修正后的磁存...

【专利技术属性】
技术研发人员：FA佩纳，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]