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本发明包括调节磁存储单元写入电流的装置和方法。所述方法包括：通过对磁存储单元写入电流的写入电流偏差求和来修正磁存储单元的写入电流；以及确定利用修改后的磁存储单元写入电流写入磁存储单元的操作是否导致写入误差条件。如果出现写入误差条件，那么所述...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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