半导体存储装置制造方法及图纸

一种半导体存储装置，包括第一及第二存储体、全域数据线、第一及第二数据线、数据发送器，以及切换器。该全域数据线配置于该第一与第二存储体之间，且由该第一及第二存储体共同地共享。该第一及第二局域数据线分别配置于该第一及第二存储体中。该数据发送器经配置以在该全域数据线与该第一及第二局域数据线之间发送数据。该切换器经配置以响应于对应存储体选择信号，而将该数据发送器与该第一或第二局域数据线相耦接。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体存储装置，更特定而言，本专利技术涉及一种共享数据线感测放大器及写入驱动器以缩小芯片尺寸的半导体存储装置。
技术介绍
动态随机存取存储器(DRAM)传统上包括多个单元。每一单元包括单元晶体管及单元电容器。在输入有效指令之后，启动连接至该单元晶体管的栅极的字线，且因此，该单元晶体管开启。因此，经由该单元晶体管在一位线处加载存储于该单元电容器中的数据。位线感测放大器对在该位线处加载的数据进行放大。在输入读指令之后，将通过该位线感测放大器放大的数据发送至局域输入/输出(I/O)线，即DRAM的核心区域中的数据线。随着DRAM密度增加，DRAM核心区域的尺寸亦增加，且因此，需要局域I/O线的长度较以前更长。然而，为了维持DRAM的完整性，不能增加位线感测放大器的尺寸。因此，包括一数据线感测放大器，以在将加载于局域I/O线处的数据发送至DRAM的周边区域中的全域I/O线之前对该数据进行放大。该全域I/O线由DRAM中的所有存储体共同地共享。当以写指令输入数据时，经由全域I/O线、局域I/O线、及位线感测放大器将该数据写入至单元中。经由写入驱动器，将在全域I/O线处加载本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体存储装置，其包含：第一存储体及第二存储体；全域数据线，其配置于该第一存储体与该第二存储体之间，且由该第一存储体及该第二存储体共同地共享；第一局域数据线，其配置于该第一存储体中；第二局域数据线，其配置 于该第二存储体中；数据发送器，其经配置以在该全域数据线与该第一局域数据线及该第二局域数据线之间发送数据；及切换器，其经配置以响应于对应存储体选择信号，而将该数据发送器与该第一局域数据线或该第二局域数据线相耦接。

【技术特征摘要】
KR 2005-9-28 90844/05;KR 2005-12-29 134011/051.一种半导体存储装置，其包含第一存储体及第二存储体；全域数据线，其配置于该第一存储体与该第二存储体之间，且由该第一存储体及该第二存储体共同地共享；第一局域数据线，其配置于该第一存储体中；第二局域数据线，其配置于该第二存储体中；数据发送器，其经配置以在该全域数据线与该第一局域数据线及该第二局域数据线之间发送数据；及切换器，其经配置以响应于对应存储体选择信号，而将该数据发送器与该第一局域数据线或该第二局域数据线相耦接。2.如权利要求1所述的半导体存储装置，其中该数据发送器包括写入驱动器，其经配置以将在该全域数据线处加载的数据发送至该第一局域数据线及该第二局域数据线中的一个；及数据线感测放大器，其经配置以将在该第一局域数据线及该第二局域数据线中之一者处加载的数据发送至该全域数据线。3.如权利要求2所述的半导体存储装置，其中该切换器包括第一切换器，其经配置以响应于第...

【专利技术属性】
技术研发人员：金升鲁，
申请(专利权)人：海力士半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]