【技术实现步骤摘要】
本专利技术主要涉及到微处理芯片设计领域，特指一种对片外DDR DRAM进行数据读取时采样点可配置的片外DRAM数据采样方法。
技术介绍
目前无论在高性能微处理器领域还是在嵌入式应用中，DDR DRAM都是主流内存技术之一。DDR是双倍数据速率(double data rate)的意思。DDR DRAM的特征是双沿传输、数据宽度64位。目前市场上的主流DDR DRAM类型大致有两种DDR1 DRAM和DDR2 DRAM。DDR1 DRAM为2.5V基准电压，速度规格分为DDR266B、DDR333B和DDR400B，实际时钟频率为133MHz、166MHz和200MHz；DDR2 DRAM与DDR1 DRAM特性很相像，只是为了加快访问速度将基准电压变成1.8V和增加了一些抗干扰和加速的技术，目前速度规格有DDR2-400、DDR2-533、DDR2-667和DDR2-800，实际时钟频率为200MHz、266MHz、333MHz和400MHz。DRAM读写频率的提高对片内DRAM控制器接口逻辑的设计和板上走线的要求越来越严。对于DDR DRAM，由于采用双沿传...
【技术保护点】
一种采样点可配置的片外ＤＲＡＭ数据采样方法，其特征在于：在选定采样时刻时，先用延时后的输入时钟对输入数据进行采集，通过内部生成的多种相位的时钟对采集后的同频异步数据同时采样，然后对多个采样结果进行分析后选择采样结果正确的时钟，将采样时刻和采样时钟这２个参数固定下来用作以后的读取操作。
【技术特征摘要】
1.一种采样点可配置的片外DRAM数据采样方法，其特征在于在选定采样时刻时，先用延时后的输入时钟对输入数据进行采集，通过内部生成的多种相位的时钟对采集后的同频异步数据同时采样，然后对多个采样结果进行分析后选择采样结果正确的时钟，将采样时刻和采样时钟这2个参数固定下来用作以后的读取操...
【专利技术属性】
技术研发人员：马驰远，穆长富，张明，杨学军，张民选，邢座程，蒋江，陈海燕，高军，李晋文，衣晓飞，阳柳，曾献君，李勇，倪晓强，唐遇星，张承义，
申请(专利权)人：中国人民解放军国防科学技术大学，
类型：发明
国别省市：43[中国|湖南]
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