【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及字线增强(booster)电路、操作字线增强电路的方法和具 有字线增强电路的存储器阵列。
技术介绍
嵌入式SRAM阵列(SRAM =静态随M取存储器)的读取和写入性能是 整体系统速度的限制因素。性能受不同因素(主要是电源电压和SRAM单元 面积)的影响。对于高性能应用，使用大型单元和/或高电源电压来满;u4度要求。不幸的是，高电源电压还导致不希望的高功耗。因此，为SRAM单元和 周围的逻辑使用单独的电压，来同时满足功率和性能目标。另一方面，使用大型SRAM单元增加了成本，因为需要芯片上的额外硅 面积，这很昂贵，因此不希望如此。为SRAM阵列使用单独的电源电压带来 了系统方面的高额成本。首先，必须生成电压，这带来调压器的成本。第 二，必须将电压分配到存储器阵列，这带来封装方面的成本。此外，阵列 电源电压必须和周围的逻辑电源电压一致，以《更确保单元稳定性，由此进 一步增加了调压的成本。^使用片上电荷泵来生成额外的电压可以解决该问题。但是，这种解决方案需要大量额外的面积和功率，因为电荷泵必须一 直保持增加的功率水平(即使在待机模式期间)并且必须持续运行。...
【技术保护点】
一种字线增强电路，特别是ＳＲＡＭ字线增强电路，包括：驱动元件（２０），用于改变电荷存储元件（５０）的电压电平，所述电荷存储元件（５０）用于存储生成增强电压（Ｖｂ）所需的电荷的至少一部分；反馈元件（３０），用于控制充电元件（４０）的切换状态，其中所述充电元件（４０）可在第一时间间隔期间的断开状态与第二时间间隔期间的接通状态之间主动地切换；以及输出端口（１４），用于向存储器器件（２００）的至少一个字线驱动器电路（１００）提供所述增强电压（Ｖｂ）。
【技术特征摘要】
EP 2006-9-18 06120846.81.一种字线增强电路，特别是SRAM字线增强电路，包括驱动元件(20)，用于改变电荷存储元件(50)的电压电平，所述电荷存储元件(50)用于存储生成增强电压(Vb)所需的电荷的至少一部分；反馈元件(30)，用于控制充电元件(40)的切换状态，其中所述充电元件(40)可在第一时间间隔期间的断开状态与第二时间间隔期间的接通状态之间主动地切换；以及输出端口(14)，用于向存储器器件(200)的至少一个字线驱动器电路(100)提供所述增强电压(Vb)。2. 如权利要求l中所述的电路，其特征在于，所述驱动元件(20)的 输出(26)连接到所述电荷存储元件(50)，并且所述反馈元件(30)的 输出(36)连接到所述充电元件(40)，以便根据字线(WL)的激活状 态将所述充电元件(40)从断开状态切换到接通状态。3. 如权利要求1或2中所述的电路，其特征在于，所述反馈元件(30) 连接到所述输出端口 ( 14)以便为所述反馈元件(30)提供所述增强电压。4. 如先前权利要求中的任一权利要求中所迷的电路，其特征在于，所 述驱动元件(20)是第一反相器.5. 如先前权利要求中的任一权利要求中所述的电路，其特征在于，所 述反馈元件(30)是第二反相器。6. 如先前权利要求中的任一权利要求中所述的电路，其特征在于，所 迷充电元件(40)是晶体管。7. 如权利要求1至5中的任一权利要求中所述的电路，其特征在于， 所述充电元件(40)是二极管。8. 如先前权利要求中的任一权利要求中所迷的电路，其特征在于，所 述电荷存储元件(50)是电容器。9. 一种方法，用于操作字线增强电路(IO)，特别是根据先前权利要 求中的任一权利要求所述的电路，其特征在于驱动元件(20)改变电荷 存储元件(50)的电压电平，所述电荷存储元件(50)存储生成增强电压 (Vb)所需的电荷的至少一部分，其中反馈元件(30 )控制充电元件(40 ) 的切换状态，其中所述充电元件(40)可以在第一时间间隔期间的断开状 态与第二时间间隔期间的接通状态之间主动地切换，并且其中将所迷增强电压提供给存储器器件(200)的至少一个字线驱动器电路(100)。10. 如权利要求9中所述的方法，其特征在于，第一阶M增强阶段， 其中所述电荷存储元件(50)连同所述驱动元件(20,) —起...
【专利技术属性】
技术研发人员：S埃仑赖希，O托雷特尔，J皮勒，
申请(专利权)人：国际商业机器公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]
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