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本发明涉及字线增强电路，特别是ＳＲＡＭ字线增强电路，包括：驱动元件（２０），用于改变电荷存储元件（５０）的电压电平，所述电荷存储元件（５０）用于存储生成增强电压（Ｖｂ）所需的电荷；反馈元件（３０），用于控制充电元件（４０）的切换状态，其中所...
该专利属于国际商业机器公司所有，仅供学习研究参考，未经过国际商业机器公司授权不得商用。

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