半导体存储器件制造技术

公开了一种半导体存储器件，包括：存储单元阵列块；以及与存储单元阵列块沿第一方向排列的电路区。电路区包括第一区以及与第一区沿第一方向排列的第二区。第一区配置有在与第一方向垂直的第二方向对准的第一电路和第二电路。第二区配置有在第二方向对准的多个第三电路。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术大体上涉及一种半导体存储器件。具体地，本专利技术涉及一种包括存储单元阵列以及其中安排有多个电路的电路区的半导体存储器件。
技术介绍
日本专利JP-A 2000-243085公开了一种配置有存储器阵列和诸如读出放大器区的电路区的半导体存储器件。所公开的半导体存储器件还包括沿BL方向延伸的多对互补位线、沿与BL方向垂直的WL方向延伸的多条字线、用于提供第一电压的第一线、用于提供第二电压的第二线、第一公共源线、以及第二公共源线。在BL方向排列存储器阵列和读出放大器区。读出放大器区包括在WL方向对准的多个读出放大器。读出放大器具有分别与互补位线相连的读出节点。此外，读出放大器具有分别与第一公共源线和第二公共源线相连的第一节点和第二节点。读出放大器区还包括第一区域和第二区域。第一区域配置有用于将第一线与第一公共源线相连的多个第一开关。第二区域配置有用于将第二线与第二公共源线相连的多个第二开关。第一开关以及第二开关沿着WL方向分别对准。在所公开的半导体存储器件中，要求沿着BL方向排列的第一区域和第二区域沿着WL方向排列第一电路和第二电路。本专利技术的目的是提供一种包括与传统技术相比本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体存储器件，包括：存储单元阵列块；以及与存储单元阵列块沿第一方向排列的电路区，其中电路区包括第一区以及与第一区沿第一方向排列的第二区，第一区配置有在与第一方向垂直的第二方向对准的第一电路和第二电路，第二区配置有在第二 方向对准的多个第三电路。

【技术特征摘要】
JP 2005-11-1 2005-3181431.一种半导体存储器件，包括存储单元阵列块；以及与存储单元阵列块沿第一方向排列的电路区，其中电路区包括第一区以及与第一区沿第一方向排列的第二区，第一区配置有在与第一方向垂直的第二方向对准的第一电路和第二电路，第二区配置有在第二方向对准的多个第三电路。2.如权利要求1所述的半导体存储器件，还包括均沿第一方向延伸的第一线和第二线；均沿第二方向延伸的第三线和第四线，其中，提供第一电路用于将第一线与第三线电连接，提供第二电路用于将第二线与第四线电连接。3.如权利要求2所述的半导体存储器件，其中，第三线和第四线与多个第三电路的一个或多个电路相连。4.如权利要求2所述的半导体存储器件，还包括第三区，第三区配置有在第二方向对准的多个第四电路，其中，第三线与多个第三电路相连，第四线与多个第四电路相连。5.如权利要求2所述的半导体存储器件，还包括沿第二方向延伸的、且电连接在第一线和第一...

【专利技术属性】
技术研发人员：藤泽宏树，藤井勇，渡边由布子，
申请(专利权)人：尔必达存储器股份有限公司，
类型：发明
国别省市：JP[日本]