用于编程多层非易失性存储装置的方法制造方法及图纸

一种用于编程包括至少一个标识单元和多个多位存储单元的多层非易失性存储器的方法。每一个存储单元存储最低有效位（ＬＳＢ）和最高有效位（ＭＳＢ）的数据。使用ＬＳＢ数据编程单元，使得编程过的存储单元具有大于ＶＲ１的阈值电压。修改阈值电压使得对于第三或第四值具有大于ＶＲ２的阈值电压。使用ＭＳＢ数据编程存储单元，使得阈值电压对于第一值小于ＶＲ１，对于第二值大于ＶＲ１且小于ＶＲ２，对于第三值大于ＶＲ２且小于ＶＲ３，对于第四值大于ＶＲ３。ＶＲ１小于ＶＲ２，ＶＲ２小于ＶＲ３。编程标识单元以显示是否已经编程ＭＳＢ数据。

【技术实现步骤摘要】

本公开涉及非易失性存储装置，并且更特别地，涉及用于编程多层非易 失性存储装置的方法。
技术介绍
闪存是计算机存储器的 一种形式，其能够保存数据而不需要消耗功率， 因此其特征在于非易失性。可以以块对闪存进行编程和擦除。闪存将数据存储在被称作单元(cell)的浮栅晶体管的阵列中。在单层 闪存中，可以在每个单元中存储一位数据。在多层闪存中，通过在存储于单 元的浮栅中的电荷的数个层之间区分，可以在每个单元中存储超过一位的数 据。图1是示出闪存的单个单元10的示意图。闪存由可以掺杂例如硼离子的 p型半导体衬底ll组成。通过掺杂例如磷、砷或锑离子，可以在衬底ll中 形成n型源极区12和n型漏极区13。可以在衬底11之上形成浮栅14,并且 可以与衬底隔离。可以在浮栅14之上形成控制栅15,并且可以与浮栅14隔 离。因为浮栅14被完全隔离，所以在浮栅中存储的电荷被俘获，并且从而不 需要消耗电力就可以将数据保留在浮栅中。闪存可以是或非(N0R)存储器或与非(NAND)存储器。每一种闪存具有 其自身的一套特点。例如，NOR闪存利用被称作热电子注入的过程来俘获浮 栅中的电荷，并依赖量子隧道来使浮栅放电。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于编程包括标识单元和多个多位存储单元的多层非易失性存储器的方法，该多个多位存储单元的每一个用于存储由最低有效位（ＬＳＢ）和最高有效位（ＭＳＢ）代表的数据，所述方法包括：　　　　使用ＬＳＢ数据编程该存储单元，使得编程过的存储单元具有大于ＶＲ１的阈值电压；　　　　修改该编程过的存储单元的该阈值电压，使得当期望该存储单元存储第三或第四值时，每一个该编程过的存储单元都具有大于ＶＲ２的阈值电压；　　　　使用ＭＳＢ数据编程存储单元，使得每一个存储单元；　　　　当期望该存储单元存储第一值时，具有小于电压ＶＲ１的阈值电压；　　　　当期望该存储单元存储第二值时，具有大于电压ＶＲ１且小于电压ＶＲ２的阈值电压...

【技术特征摘要】
KR 2006-9-6 85879/06;US 2007-8-30 11/847,9801.一种用于编程包括标识单元和多个多位存储单元的多层非易失性存储器的方法，该多个多位存储单元的每一个用于存储由最低有效位(LSB)和最高有效位(MSB)代表的数据，所述方法包括使用LSB数据编程该存储单元，使得编程过的存储单元具有大于VR1的阈值电压；修改该编程过的存储单元的该阈值电压，使得当期望该存储单元存储第三或第四值时，每一个该编程过的存储单元都具有大于VR2的阈值电压；使用MSB数据编程存储单元，使得每一个存储单元当期望该存储单元存储第一值时，具有小于电压VR1的阈值电压；当期望该存储单元存储第二值时，具有大于电压VR1且小于电压VR2的阈值电压；当期望该存储单元存储第三值时，具有大于电压VR2且小于电压VR3的阈值电压；和当期望该存储单元存储第四值时，具有大于电压VR3的阈值电压，其中VR1＜VR2＜VR3，其中标识单元被编程以显示MSB数据是否已经被编程。2. 如权利要求l所述的方法，还包括编程该标识单元使其具有大于VR3 的阈值电压，以指示已经编程过该存储单元的MSB数据。3. 如权利要求1所述的方法，其中编程该标识单元的步骤发生在修改该 编程过的存储单元的阈值电压的步骤之后。4. 如权利要求3所述的方法，其中使用MSB数据编程该存储单元与该标 识单元的编程同时开始。5. 如权利要求1所述的方法，其中该标识单元的编程发生在该修改步骤 之后，并且该MSB数据的编程发生在该标识单元的编程之后。6. 如权利要求1所述的方法，其中该多层非易失性存储器是闪存。7. 如权利要求6所述的方法，其中该多层非易失性存储器是NAND闪存。8. 如权利要求1所述的方法，其中该LSB数据的编程和该MSB数据的编 程均包括实现增量步进脉沖编程。9. 如权利要求1所述的方法，其中修改该编程过的存储单元的阈值电压 包括实现增量步进脉冲编程。10. 如权利要求1所述的方法，还包括当该标识单元显示存在编程过的MSB数据时，先在VR1、然后在VR2、然后在VR3读取MSB数据。11. 如权利要求10所述的方法，其中在VR1读取该标识单元。12. 如权利要求10所述的方法，其中在VR2读取该标识单元。13. 如权利要求1所述的方法，其中 VR1大约等于0伏特；VR2在大约1到2伏特的范围内；并且 VR3在大约2. 5到3. 5伏特的范围内。14. 一种用于根据用于编程包括至少一个标识单元和多个多位存储单元 的多层非易失性存储器的方法来控制存储器的控制器，该多个多位存储单元 的每一个用于存储由最低有效位(LSB)和最高有效位(MSB)代表的数据， 所述方法包括使用LSB数据编程该存储单元，使得该编程过的存储单元具有大于VRl 的阈值电压；修改该编程过的存储单元的该阈值电压，使得当期望该存储单元存储第 三或第四值时，每一个该编程过的存储单元具有大于VR2的阈值电压；使用MSB数据编程该存储单元，使得每一个存储单元当期望该存储单元存储第一值时，具有小于电压VRl的阈值电压； 当期望该存储单元存储第二值时，具有大于电压VRl且小于电压VR2的阈^直电压；当期望该存储单元存储第三值时，具有大于电压VR2且小于电压VR3 的阈值电压；当期望该存储单元存储第四值时，具有大于电压VR3的阈值电压， 其中VR1 〈VR2〈VR3，其中标识单元^皮编程以显示MSB数据是否已经被编程。15. 如权利要求14所述的控制器，其中所述方法还包括编程该标识单元 以指示已经编程过该存储单元的MSB数据。16. 如权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：蔡东赫，边大锡，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]