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一种用于编程包括至少一个标识单元和多个多位存储单元的多层非易失性存储器的方法。每一个存储单元存储最低有效位（ＬＳＢ）和最高有效位（ＭＳＢ）的数据。使用ＬＳＢ数据编程单元，使得编程过的存储单元具有大于ＶＲ１的阈值电压。修改阈值电压使得对于第三...
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