封装结构及其制造方法技术

一种封装结构，包括线路重布结构、晶片、一个或多个结构强化元件及保护层。线路重布结构包括第一线路层及设置于第一线路层之上的第二线路层。第一线路层电性连接第二线路层。晶片设置于线路重布结构上，并电性连接第二线路层。一个或多个结构强化元件设置于线路重布结构上。结构强化元件具有30～200GPa的杨氏模数。保护层淹盖晶片及结构强化元件的侧壁。在此揭露的封装结构具有足够的机械强度，不易有翘曲现象的发生。

Packaging structure and manufacturing method

【技术实现步骤摘要】
封装结构及其制造方法
本揭示内容是关于一种封装结构，以及关于一种封装结构的制造方法。
技术介绍
传统上，晶片封装结构包括基板、位于基板上的晶片及淹盖晶片的封装材料层。由于基板、晶片及封装材料层的热膨胀系数差异大，当执行热制造过程以形成晶片及封装材料层于基板上时，晶片封装结构经常严重翘曲。因此，降低了晶片封装结构安装在印刷电路板上的良率。另一方面，当欲形成封装结构形成于另一封装结构上的堆迭式封装结构(package-on-package，POP)时，翘曲现象亦导致制造过程上的困难。
技术实现思路
本揭示内容的第一实施方式是提供一种封装结构，包括线路重布结构、晶片、一个或多个结构强化元件及保护层。线路重布结构包括第一线路层及设置于第一线路层之上的第二线路层。第一线路层电性连接第二线路层。晶片设置于线路重布结构上，并电性连接第二线路层。一个或多个结构强化元件设置于线路重布结构上。结构强化元件具有30～200GPa的杨氏模数。保护层淹盖晶片及结构强化元件的侧壁。在本揭示内容的第一实施方式中，封装结构包括一个结构强化元件，且结构强化元件围绕晶片。在本揭示内容的第一实施方式中，封装结构包括多个结构强化元件，且多个结构强化元件中的一者位于晶片的第一侧，多个结构强化元件中的另一者位于晶片的第二侧，且第二侧与第一侧相对或相邻。在本揭示内容的第一实施方式中，结构强化元件与晶片具有50～1000微米的水平距离。在本揭示内容的第一实施方式中，结构强化元件包括但不限于双马来酰亚胺三嗪树脂、环氧树脂、锡膏或铜膏。在本揭示内容的第一实施方式中，结构强化元件的上表面及保护层的上表面共平面。本揭示内容的第二实施方式是提供一种封装结构，包括线路重布结构、晶片、内导电强化元件、第一保护层及电子元件。线路重布结构包括第一线路层及设置于第一线路层之上的第二线路层，其中第一线路层电性连接第二线路层。晶片设置于线路重布结构上，并电性连接第二线路层。内导电强化元件设置于线路重布结构上。内导电强化元件包括强化层及导电连接件。强化层具有30～200GPa的杨氏模数，且强化层具有通孔。导电连接件设置于通孔中。导电连接件的顶部及底部暴露于强化层外，且导电连接件的底部电性连接第二线路层。第一保护层淹盖晶片及内导电强化元件的侧壁。电子元件设置于第一保护层之上，并电性连接导电连接件的顶部。在本揭示内容的第二实施方式中，封装结构进一步包括基板结构及第二保护层。基板结构设置于第一保护层与电子元件之间，且电子元件通过基板结构电性连接至导电连接件的顶部。第二保护层淹盖电子元件。在本揭示内容的第二实施方式中，内导电强化元件围绕晶片。在本揭示内容的第二实施方式中，内导电强化元件与晶片具有50～1000微米的水平距离。在本揭示内容的第二实施方式中，强化层包括但不限于双马来酰亚胺三嗪树脂、环氧树脂、玻璃或陶瓷。在本揭示内容的第二实施方式中，内导电强化元件的上表面及第一保护层的上表面共平面。本揭示内容的第三实施方式是提供一种封装结构，包括线路重布结构、晶片、内导电强化元件、保护层及天线图案。线路重布结构包括第一线路层及设置于第一线路层之上的第二线路层，其中第一线路层电性连接第二线路层。晶片设置于线路重布结构上，并电性连接第二线路层。内导电强化元件设置于线路重布结构上。内导电强化元件包括强化层及导电连接件。强化层具有30～200GPa的杨氏模数，且强化层具有通孔。导电连接件设置于通孔中，其中导电连接件的顶部及底部暴露于强化层外，且导电连接件的底部电性连接第二线路层。保护层淹盖晶片及内导电强化元件的侧壁。天线图案设置于保护层上，并电性连接导电连接件的顶部。在本揭示内容的第三实施方式中，内导电强化元件围绕晶片。在本揭示内容的第三实施方式中，内导电强化元件与晶片具有50～1000微米的水平距离。在本揭示内容的第三实施方式中，强化层包括但不限于双马来酰亚胺三嗪、玻璃或陶瓷。在本揭示内容的第三实施方式中，内导电强化元件的上表面及保护层的上表面共平面。本揭示内容的第四实施方式提供一种封装结构的制造方法，包括下列操作：(i)提供线路重布结构，其中线路重布结构包括第一线路层及设置于第一线路层之上的第二线路层，且第一线路层电性连接第二线路层；(ii)形成一个或多个结构强化元件于线路重布结构上，其中结构强化元件具有30～200GPa的杨氏模数；(iii)设置晶片于线路重布结构上，其中晶片电性连接第二线路层；以及(iv)形成保护层淹盖晶片及结构强化元件。在本揭示内容的第四实施方式中，在操作(iv)之后，进一步包括：(v)去除保护层的顶部，以暴露出结构强化元件的上表面。本揭示内容的第五实施方式是提供一种封装结构的制造方法，包括下列操作：(i)提供线路重布结构，其中线路重布结构包括第一线路层及设置于第一线路层之上的第二线路层，且第一线路层电性连接第二线路层；(ii)形成内导电强化元件于线路重布结构上，其中内导电强化元件包括：强化层，具有30～200GPa的杨氏模数，其中强化层具有通孔；以及导电连接件，设置于通孔中，其中导电连接件的顶部及底部暴露于强化层外，且导电连接件的底部电性连接第二线路层；(iii)设置晶片于线路重布结构上，其中晶片电性连接第二线路层；(iv)形成第一保护层淹盖晶片及内导电强化元件；以及(v)设置电子元件于第一保护层之上，其中电子元件电性连接导电连接件的顶部。在本揭示内容的第五实施方式中，操作(ii)包括下列步骤：(a)提供基板，其中基板具有30～200GPa的杨氏模数；(b)对基板进行钻孔制造过程，以形成具有通孔的强化层；(c)形成导电连接件于通孔中，以形成内导电强化元件；以及(d)设置内导电强化元件于线路重布结构上。在本揭示内容的第五实施方式中，在操作(v)中，电子元件设置于基板结构上并被第二保护层所淹盖，且电子元件通过基板结构电性连接至导电连接件的顶部。本揭示内容的第六实施方式是提供一种封装结构的制造方法，包括下列操作：(i)提供线路重布结构，其中线路重布结构包括第一线路层及设置于第一线路层之上的第二线路层，且第一线路层电性连接第二线路层；(ii)形成内导电强化元件于线路重布结构上，其中内导电强化元件包括：强化层，具有30～200GPa的杨氏模数，其中强化层具有通孔；以及导电连接件，设置于通孔中，其中导电连接件的顶部及底部暴露于强化层外，且导电连接件的底部电性连接第二线路层；(iii)设置晶片于线路重布结构上，其中晶片电性连接第二线路层；(iv)形成保护层淹盖晶片及内导电强化元件；以及(v)形成天线图案于保护层之上，其中天线图案电性连接导电连接件的顶部。借由上述技术方案，本专利技术至少具有以下优点效果：本专利技术封装结构具有足够的机械强度，不易有翘曲现象的发生；提高了晶片封装结构安装在印刷电路板上的良率。此外，由于封装结构不易有翘曲现象的发生，因此适合在此封装结构上直接形成平整的天线图案。或者，设置另一封装结构于此封装结构上以制本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种封装结构，其特征在于，包括：/n线路重布结构，包括第一线路层及设置于该第一线路层之上的第二线路层，其中该第一线路层电性连接该第二线路层；/n晶片，设置于该线路重布结构上，并电性连接该第二线路层；/n一个或多个结构强化元件，设置于该线路重布结构上，其中该结构强化元件具有30～200GPa的杨氏模数；以及/n保护层，淹盖该晶片及该结构强化元件的侧壁。/n

【技术特征摘要】
1.一种封装结构，其特征在于，包括：
线路重布结构，包括第一线路层及设置于该第一线路层之上的第二线路层，其中该第一线路层电性连接该第二线路层；
晶片，设置于该线路重布结构上，并电性连接该第二线路层；
一个或多个结构强化元件，设置于该线路重布结构上，其中该结构强化元件具有30～200GPa的杨氏模数；以及
保护层，淹盖该晶片及该结构强化元件的侧壁。


2.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于：其中该封装结构包括一个结构强化元件，且该结构强化元件围绕该晶片。


3.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于：其中该封装结构包括多个结构强化元件，且所述结构强化元件中的一者位于该晶片的第一侧，所述结构强化元件中的另一者位于该晶片的第二侧，且该第二侧与该第一侧相对或相邻。


4.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于：其中该结构强化元件与该晶片具有50～1000微米的水平距离。


5.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于：其中该结构强化元件的材料包括双马来酰亚胺三嗪树脂、环氧树脂、锡膏或铜膏。


6.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于：其中该结构强化元件的上表面及该保护层的上表面共平面。


7.一种封装结构，其特征在于，包括：
线路重布结构，包括第一线路层及设置于该第一线路层之上的第二线路层，其中该第一线路层电性连接该第二线路层；
晶片，设置于该线路重布结构上，并电性连接该第二线路层；
内导电强化元件，设置于该线路重布结构上，其中该内导电强化元件包括：
强化层，具有30～200GPa的杨氏模数，其中该强化层具有通孔；以及
导电连接件，设置于该通孔中，其中该导电连接件的顶部及底部暴露于该强化层外，且该导电连接件的该底部电性连接该第二线路层；
第一保护层，淹盖该晶片及该内导电强化元件的侧壁；以及
电子元件，设置于该第一保护层之上，并电性连接该导电连接件的该顶部。


8.根据权利要求7所述的封装结构，其特征在于，进一步包括：
基板结构，设置于该第一保护层与该电子元件之间，且该电子元件通过该基板结构电性连接至该导电连接件的该顶部；以及
第二保护层，淹盖该电子元件。


9.根据权利要求7所述的封装结构，其特征在于：其中该内导电强化元件围绕该晶片。


10.根据权利要求7所述的封装结构，其特征在于：其中该内导电强化元件与该晶片具有50～1000微米的水平距离。


11.根据权利要求7所述的封装结构，其特征在于：其中该强化层材料包括双马来酰亚胺三嗪树脂、环氧树脂、玻璃或陶瓷。


12.根据权利要求7所述的封装结构，其特征在于：其中该内导电强化元件的上表面及该第一保护层的上表面共平面。


13.一种封装结构，其特征在于，包括：
线路重布结构，包括第一线路层及设置于该第一线路层之上的第二线路层，其中该第一线路层电性连接该第二线路层；
晶片，设置于该线路重布结构上，并电性连接该第二线路层；
内导电强化元件，设置于该线路重布结构上，其中该内导电强化元件包括：
强化层，具有30～200GPa的杨氏模数，其中该强化层具有通孔；以及
导电连接件，设置于该通孔中，其中该导电连接件的顶部及底部暴露于该强化层外，且该导电连接件的该底部电性连接该第二线路层；
保护层，淹盖该晶片及该内导电强化元件的侧壁；以及
天线图案，设置于该保护层上，并电性连接该导电连接件的该顶部。

【专利技术属性】
技术研发人员：林溥如，柯正达，陈裕华，曾子章，
申请(专利权)人：欣兴电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71