制造半导体元件的方法技术

制造半导体元件的方法包括以下步骤。在基板上形成第一层间介电质层。在第一层间介电质层上形成化学机械研磨停止层。通过对化学机械研磨停止层与第一层间介电质层进行图案化来形成沟槽开口。通过在沟槽开口中形成第一导电层来形成下层第一制程标记。在下层第一制程标记上形成下部介电质层。在下部介质层上形成中间介电质层。在中间介电质层上形成上部介电质层。在上部、中间及下部介电质层上执行平坦化操作，以使中间介电质层的一部分保留在下层第一制程标记上方。通过移除中间介电层的剩余部分而通过下部介电层形成第二制程标记。

Methods of manufacturing semiconductor components

【技术实现步骤摘要】
制造半导体元件的方法
本揭示的一些实施例是有关于一种制造半导体元件的方法。
技术介绍
传统的平面薄膜元件以低功耗提供卓越的效能。为了增强元件的可控性并减小平面元件所占据的基板表面积，半导体行业已经发展进入追求更高的元件密度、更高效能和更低成本的纳米技术制程节点。纳米技术制程节点的关键技术之一是在通过沉积形成的一或多个层上执行平坦化制程，诸如化学机械研磨(CMP)。因此，期望改进化学机械研磨制程。
技术实现思路
在一些实施例中，半导体元件的制造方法包括以下步骤。在基板上形成第一层间介电质层。在第一层间介电质层上形成化学机械研磨停止层。通过对化学机械研磨停止层与第一层间介电质层进行图案化来形成沟槽开口。通过在沟槽开口中形成第一导电层来形成下层第一制程标记。在下层第一制程标记上形成下部介电质层。在下部介质层上形成中间介电质层。在中间介电质层上形成上部介电质层。在上部介电质层、中间介电质层及下部介电质层上执行平坦化操作，以使中间介电质层的一部分保留在下层第一制程标记上方。通过移除中间介电层的剩余部分而通过下部介电层形成第二制程标记。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种制造半导体元件的方法，其特征在于，包含：/n在一基板上形成一第一层间介电质层；/n在该第一层间介电质层上形成一化学机械研磨停止层；/n通过对该化学机械研磨停止层和该第一层间介电质层进行图案化来形成一沟槽开口；/n通过在该沟槽开口中形成一第一导电层来形成一下层第一制程标记；/n在该下层第一制程标记上形成一下部介电质层；/n在该下部介电质层上形成一中间介电质层；/n在该中间介电质层上形成一上部介电质层；/n在该上部介电质层、该中间介电质层和该下部介电质层上执行一平坦化操作，以使该中间介电质层的一部分保留在该下层第一制程标记上方；以及/n通过移除该中间介电质层的该剩余部分而通过该下部介电质层...

【技术特征摘要】
20181130 US 62/774,135;20191003 US 16/591,9611.一种制造半导体元件的方法，其特征在于，包含：
在一基板上形成一第一层间介电质层；
在该第一层间介电质层上形成一化学机械研磨停止层；
通过对该化学机械研磨停止层和该第一层间介电质层进行图案化来形成一沟槽开口；
通...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈盈桦，许峰嘉，吕文祯，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71