【技术实现步骤摘要】
半导体器件及其制造方法
本申请实施例涉及半导体制造领域，特别涉及一种半导体器件及其制造方法。
技术介绍
随着半导体器件的发展，与半导体器件相关的临界尺寸不断减小，低电阻率的互连结构成为制造高集成度半导体器件的一个关键要素。而栅极、源极、漏极的接触电阻是影响电阻率的重要要素。因此，需要提供一种方法来降低栅极、源极、漏极的接触电阻。
技术实现思路
有鉴于此，本申请实施例为解决现有技术中存在的至少一个问题而提供一种半导体器件及其制造方法。为达到上述目的，本申请实施例的技术方案是这样实现的：第一方面，本申请实施例提供一种半导体器件的制造方法，所述方法包括：提供半导体结构；所述半导体结构包括：半导体衬底，形成在所述半导体衬底上的栅极结构，以及覆盖所述半导体衬底以及所述栅极结构的阻挡层；采用刻蚀工艺去除预设区域内的所述阻挡层，以暴露出至少一硅区域；所述硅区域为所述半导体衬底和/或所述栅极结构上的区域；以所述刻蚀工艺后的阻挡层作为自对准阻挡层，在所述预设区域内形成金属硅化合物。<...
【技术保护点】
1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括：/n提供半导体结构；/n所述半导体结构包括：半导体衬底，形成在所述半导体衬底上的栅极结构，以及覆盖所述半导体衬底以及所述栅极结构的阻挡层；/n采用刻蚀工艺去除预设区域内的所述阻挡层，以暴露出至少一硅区域；/n所述硅区域为所述半导体衬底和/或所述栅极结构上的区域；/n以所述刻蚀工艺后的阻挡层作为自对准阻挡层，在所述预设区域内形成金属硅化合物。/n
【技术特征摘要】
1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括：
提供半导体结构；
所述半导体结构包括：半导体衬底，形成在所述半导体衬底上的栅极结构，以及覆盖所述半导体衬底以及所述栅极结构的阻挡层；
采用刻蚀工艺去除预设区域内的所述阻挡层，以暴露出至少一硅区域；
所述硅区域为所述半导体衬底和/或所述栅极结构上的区域；
以所述刻蚀工艺后的阻挡层作为自对准阻挡层，在所述预设区域内形成金属硅化合物。
2.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述采用刻蚀工艺去除预设区域内的所述阻挡层，以暴露出至少一硅区域，包括：
在所述阻挡层上形成图案化的光刻胶层，所述图案化的光刻胶层暴露预设区域的阻挡层；
以所述图案化的光刻胶层为掩膜，采用刻蚀工艺去除所述预设区域内的所述阻挡层，以暴露出至少一硅区域。
3.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，
所述阻挡层为氧化物阻挡层。
4.根据权利要求1或2所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，
所述刻蚀工艺为湿法刻蚀工艺。
5.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，
所述预设区域为所述栅极结构上的部分区域。
6.根据权利要求2所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，
在提供的所述半导体结构中，所述阻挡层包括覆盖在所述栅极结构的侧壁上的侧壁覆盖部；
所述预设区域不包括或者仅包括部分所述侧壁覆盖部所在的区域；
采用湿法刻蚀工艺去除所述预设区域内的所述阻挡层时，所述阻挡层的所述侧壁覆盖部被所述图案化的光刻胶层覆盖。
7.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，
所述半导体...
【专利技术属性】
技术研发人员：谢海波，梁玲，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42
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