半导体器件及其制造方法技术

本申请实施例公开一种半导体器件及其制造方法，所述方法包括：提供半导体结构；所述半导体结构包括：半导体衬底，形成在所述半导体衬底上的栅极结构，以及覆盖所述半导体衬底以及所述栅极结构的阻挡层；采用刻蚀工艺去除预设区域内的所述阻挡层，以暴露出至少一硅区域；所述硅区域为所述半导体衬底和/或所述栅极结构上的区域；以所述刻蚀工艺后的阻挡层作为自对准阻挡层，在所述预设区域内形成金属硅化合物。

Semiconductor devices and manufacturing methods

【技术实现步骤摘要】
半导体器件及其制造方法
本申请实施例涉及半导体制造领域，特别涉及一种半导体器件及其制造方法。
技术介绍
随着半导体器件的发展，与半导体器件相关的临界尺寸不断减小，低电阻率的互连结构成为制造高集成度半导体器件的一个关键要素。而栅极、源极、漏极的接触电阻是影响电阻率的重要要素。因此，需要提供一种方法来降低栅极、源极、漏极的接触电阻。
技术实现思路
有鉴于此，本申请实施例为解决现有技术中存在的至少一个问题而提供一种半导体器件及其制造方法。为达到上述目的，本申请实施例的技术方案是这样实现的：第一方面，本申请实施例提供一种半导体器件的制造方法，所述方法包括：提供半导体结构；所述半导体结构包括：半导体衬底，形成在所述半导体衬底上的栅极结构，以及覆盖所述半导体衬底以及所述栅极结构的阻挡层；采用刻蚀工艺去除预设区域内的所述阻挡层，以暴露出至少一硅区域；所述硅区域为所述半导体衬底和/或所述栅极结构上的区域；以所述刻蚀工艺后的阻挡层作为自对准阻挡层，在所述预设区域内形成金属硅化合物。在一种可选的实施方式中，所述采用刻蚀工艺去除预设区域内的所述阻挡层，以暴露出至少一硅区域，包括：在所述阻挡层上形成图案化的光刻胶层，所述图案化的光刻胶层暴露预设区域的阻挡层；以所述图案化的光刻胶层为掩膜，采用刻蚀工艺去除所述预设区域内的所述阻挡层，以暴露出至少一硅区域。在一种可选的实施方式中，所述阻挡层为氧化物阻挡层。在一种可选的实施方式中，所述刻蚀工艺为湿法刻蚀工艺。在一种可选的实施方式中，所述预设区域为所述栅极结构上的部分区域。在一种可选的实施方式中，在提供的所述半导体结构中，所述阻挡层包括覆盖在所述栅极结构的侧壁上的侧壁覆盖部；所述预设区域不包括或者仅包括部分所述侧壁覆盖部所在的区域；采用湿法刻蚀工艺去除所述预设区域内的所述阻挡层时，所述阻挡层的所述侧壁覆盖部被所述图案化的光刻胶层覆盖。在一种可选的实施方式中，所述半导体衬底上具有源极区和漏极区；所述硅区域包括所述源极区和所述漏极区。在一种可选的实施方式中，所述栅极结构包括：形成在所述半导体衬底上的栅介质层，形成在所述栅介质层上的多晶硅栅极，以及形成在所述多晶硅栅极侧壁上的栅极侧墙；所述硅区域包括所述多晶硅栅极的部分区域；在所述采用刻蚀工艺去除预设区域内的所述阻挡层后，所述多晶硅栅极还包括被阻挡层覆盖的区域。在一种可选的实施方式中，所述栅极侧墙包括靠近所述多晶硅栅极的氧化硅层和远离所述多晶硅栅极的氮化硅层。在一种可选的实施方式中，所述在所述预设区域内形成金属硅化合物，包括：在所述半导体结构上沉积金属材料，并进行退火处理，以在所述预设区域内形成金属硅化合物。在一种可选的实施方式中，所述金属材料包括：镍或镍铂化合物；所述金属硅化合物包括：镍硅化合物。在一种可选的实施方式中，所述形成所述金属硅化合物之后，所述方法还包括：形成保护层，所述保护层至少覆盖所述金属硅化合物以及所述阻挡层。在一种可选的实施方式中，所述保护层的材料包括：氮化硅或氮氧化硅。第二方面，本申请实施例提供一种半导体器件，包括：半导体衬底，形成在所述半导体衬底上的栅极结构；位于所述半导体衬底以及所述栅极结构上预设区域的金属硅化合物；所述预设区域为所述半导体衬底和/或所述栅极结构上的部分区域。本申请实施例提供了一种半导体器件的制造方法，所述方法包括：提供半导体结构，所述半导体结构包括：半导体衬底；形成在所述半导体衬底上的栅极结构，以及覆盖所述半导体衬底以及所述栅极结构的阻挡层；采用刻蚀工艺去除预设区域内的所述阻挡层，以暴露出至少一硅区域；所述硅区域为所述半导体衬底和/或所述栅极结构上的区域；以刻蚀工艺后的阻挡层作为自对准阻挡层，在所述预设区域内形成金属硅化合物。本申请实施例在半导体衬底和/或栅极上形成金属硅化合物，以降低接触电阻且该形成金属硅化合物的方法能够节省工艺时间和工艺成本。附图说明图1为本申请实施例提供的一种半导体器件的制造方法的实现流程示意图；图2a-2f为本申请一具体示例提供的一种半导体器件的制造方法中的结构示意图。具体实施方式下面将参照附图更详细地描述本申请公开的示例性实施方式。虽然附图中显示了本申请的示例性实施方式，然而应当理解，可以以各种形式实现本申请，而不应被这里阐述的具体实施方式所限制。相反，提供这些实施方式是为了能够更透彻地理解本申请，并且能够将本申请公开的范围完整的传达给本领域的技术人员。在下文的描述中，给出了大量具体的细节以便提供对本申请更为彻底的理解。然而，对于本领域技术人员而言显而易见的是，本申请可以无需一个或多个这些细节而得以实施。在其他的例子中，为了避免与本申请发生混淆，对于本领域公知的一些技术特征未进行描述；即，这里不描述实际实施例的全部特征，不详细描述公知的功能和结构。在附图中，为了清楚，层、区、元件的尺寸以及其相对尺寸可能被夸大。自始至终相同附图标记表示相同的元件。应当明白，当元件或层被称为“在……上”、“与……相邻”、“连接到”或“耦合到”其它元件或层时，其可以直接地在其它元件或层上、与之相邻、连接或耦合到其它元件或层，或者可以存在居间的元件或层。相反，当元件被称为“直接在……上”、“与……直接相邻”、“直接连接到”或“直接耦合到”其它元件或层时，则不存在居间的元件或层。应当明白，尽管可使用术语第一、第二、第三等描述各种元件、部件、区、层和/或部分，这些元件、部件、区、层和/或部分不应当被这些术语限制。这些术语仅仅用来区分一个元件、部件、区、层或部分与另一个元件、部件、区、层或部分。因此，在不脱离本申请教导之下，下面讨论的第一元件、部件、区、层或部分可表示为第二元件、部件、区、层或部分。而当讨论的第二元件、部件、区、层或部分时，并不表明本申请必然存在第一元件、部件、区、层或部分。空间关系术语例如“在……下”、“在……下面”、“下面的”、“在……之下”、“在……之上”、“上面的”等，在这里可为了方便描述而被使用从而描述图中所示的一个元件或特征与其它元件或特征的关系。应当明白，除了图中所示的取向以外，空间关系术语意图还包括使用和操作中的器件的不同取向。例如，如果附图中的器件翻转，然后，描述为“在其它元件下面”或“在其之下”或“在其下”元件或特征将取向为在其它元件或特征“上”。因此，示例性术语“在……下面”和“在……下”可包括上和下两个取向。器件可以另外地取向(旋转90度或其它取向)并且在此使用的空间描述语相应地被解释。在此使用的术语的目的仅在于描述具体实施例并且不作为本申请的限制。在此使用时，单数形式的“一”、“一个”和“所述/该”也意图包括复数形式，除非上下文清楚指出另外的方式。还应明白术语“组成”和/或“包括”，当在该说明书中使用时，确定所述特征、整数、步骤、操作、元件和本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括：/n提供半导体结构；/n所述半导体结构包括：半导体衬底，形成在所述半导体衬底上的栅极结构，以及覆盖所述半导体衬底以及所述栅极结构的阻挡层；/n采用刻蚀工艺去除预设区域内的所述阻挡层，以暴露出至少一硅区域；/n所述硅区域为所述半导体衬底和/或所述栅极结构上的区域；/n以所述刻蚀工艺后的阻挡层作为自对准阻挡层，在所述预设区域内形成金属硅化合物。/n

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括：
提供半导体结构；
所述半导体结构包括：半导体衬底，形成在所述半导体衬底上的栅极结构，以及覆盖所述半导体衬底以及所述栅极结构的阻挡层；
采用刻蚀工艺去除预设区域内的所述阻挡层，以暴露出至少一硅区域；
所述硅区域为所述半导体衬底和/或所述栅极结构上的区域；
以所述刻蚀工艺后的阻挡层作为自对准阻挡层，在所述预设区域内形成金属硅化合物。


2.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述采用刻蚀工艺去除预设区域内的所述阻挡层，以暴露出至少一硅区域，包括：
在所述阻挡层上形成图案化的光刻胶层，所述图案化的光刻胶层暴露预设区域的阻挡层；
以所述图案化的光刻胶层为掩膜，采用刻蚀工艺去除所述预设区域内的所述阻挡层，以暴露出至少一硅区域。


3.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，
所述阻挡层为氧化物阻挡层。


4.根据权利要求1或2所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，
所述刻蚀工艺为湿法刻蚀工艺。


5.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，
所述预设区域为所述栅极结构上的部分区域。


6.根据权利要求2所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，
在提供的所述半导体结构中，所述阻挡层包括覆盖在所述栅极结构的侧壁上的侧壁覆盖部；
所述预设区域不包括或者仅包括部分所述侧壁覆盖部所在的区域；
采用湿法刻蚀工艺去除所述预设区域内的所述阻挡层时，所述阻挡层的所述侧壁覆盖部被所述图案化的光刻胶层覆盖。


7.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，
所述半导体...

【专利技术属性】
技术研发人员：谢海波，梁玲，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42