一种封装基板制造工艺制造技术

本发明专利技术公开了一种封装基板制造工艺，包括：将第一导电片和绝缘件以导电凸起与凹腔相对的方式进行层叠压合，使导电凸起收容于凹腔中，将第二导电基片层叠压合于绝缘件远离第一导电片的一侧，制得母材；在母材上制作穿孔；对母材进行加工以除去导电凸起和第一导电基片与导电凸起正对的部位，形成供芯片安装的收容腔；对第一导电基片进行加工形成焊盘，对第二导电基片进行加工形成线路，在穿孔中电镀导电材料形成用于连接焊盘和线路的导通孔，制得封装基板半成品；对封装基板半成品进行切割，制得封装基板。本发明专利技术的封装基板制造工艺制得的封装基板自带收容腔，可以缩短流程，降低成本，而且降低了加工难度，从而提高产品精度和良品率。

A manufacturing process of packaging substrate

【技术实现步骤摘要】
一种封装基板制造工艺
本专利技术涉及芯片封装
，尤其涉及一种封装基板制造工艺。
技术介绍
目前，为了使电子器件具有更稳定、更卓越的信号传输和接收性能，需要将芯片封装在一个单独的空腔内。传统的实现方式是将芯片贴装于封装基板后再增加一个收容腔支架，该实现方式不仅流程复杂，而且在装配过程中精度要求高，产品良率和产品成本均较难管控。
技术实现思路
为了克服现有技术的不足，本专利技术的目的在于提供一种封装基板制造工艺，用以解决现有封装基板制造工艺流程复杂，装配过程中精度要求高，产品良率和产品成本均较难管控的问题。本专利技术的目的采用如下技术方案实现：一种封装基板制造工艺，用于制造供芯片封装的封装基板，所述封装基板制造工艺包括：提供第一导电片、绝缘件及第二导电基片，所述第一导电片包括第一导电基片和位于所述第一导电基片一侧的导电凸起，所述绝缘件的一侧凹设有凹腔，将所述第一导电片和所述绝缘件以所述导电凸起与所述凹腔相对的方式进行层叠压合，并使所述导电凸起收容于所述凹腔中，将所述第二导电基片层叠压合于所述绝缘件远离所述第一导电片的一侧，制得母材；在所述母材上制作穿孔，所述穿孔依次贯穿所述第一导电基片、所述绝缘件以及所述第二导电基片；对所述母材进行加工以除去所述导电凸起和所述第一导电基片与所述导电凸起正对的部位，以形成用于供芯片安装的收容腔；对所述第一导电基片进行加工以形成焊盘，对所述第二导电基片进行加工以形成线路，在所述穿孔中电镀导电材料以形成用于连接所述焊盘和所述线路的导通孔，制得封装基板半成品；对所述封装基板半成品进行切割，制得封装基板。进一步地，除去所述导电凸起和所述第一导电基片与所述导电凸起正对的部位包括以下步骤：在所述第一导电基片远离所述导电凸起的一侧和所述第二导电片远离所述绝缘件的一侧贴设第一感光膜，对应所述导电凸起的位置对贴设于所述第一导电基片的所述第一感光膜进行曝光显影以形成蚀刻孔；通过所述蚀刻孔对所述母材进行蚀刻，除去所述导电凸起和所述第一导电基片与所述导电凸起正对的部位，以得到所述收容腔，除去所述第一感光膜。进一步地，所述第一导电片由以下工序制作成型：提供具有上表面和下表面的所述第一导电基片，在所述上表面和所述下表面上贴设第二感光膜，对贴设于所述下表面的所述第二感光膜进行曝光显影以形成第一电镀避让区域；在所述第一电镀避让区域内电镀铜层，电镀铜层之后，除去所述第二感光膜，制得所述第一导电片，其中，所述铜层形成所述导电凸起，且所述铜层的厚度与所述第二感光膜的厚度相同。进一步地，所述第一导电基片为铜片；且/或，所述第二导电基片为铜片。进一步地，所述绝缘件为半固化片，所述半固化片的厚度为50μm-200μm。进一步地，所述焊盘和所述线路由以下工序制作成型：在蚀刻后的所述第一导电基片远离所述绝缘件的一侧和第二基片远离所述绝缘件的一侧贴设第三感光膜，对应所述焊盘的位置对贴设于所述第一导电基片的所述第三感光膜进行曝光显影以形成第二电镀避让区域，对应所述线路的位置对贴设于所述第二导电基片的所述第三感光膜进行曝光显影以形成第三电镀避让区域；在所述第二电镀避让区域和所述第三电镀避让区域内都电镀锡层，电镀锡层之后，除去所述第三感光膜；对除去所述第三感光膜的所述第一导电基片和所述第二导电基片进行蚀刻，得到所述焊盘和所述线路后，除去所述锡层。进一步地，在制作所述穿孔之前，所述封装基板制作工艺还包括：将所述第一导电基片的厚度减薄至10μm-20μm。进一步地，制得所述焊盘和所述线路后，所述封装基板制造工艺还包括：在所述导通孔的孔壁上覆盖绝缘材料。进一步地，在所述导通孔的孔壁上覆盖绝缘材料后，所述封装基板制造工艺还包括：在所述焊盘和所述线路的外表面电镀保护层。进一步地，所述保护层为镍层、或者镍银层、或者镍金层、或者镍银金层、或者镍钯金层、或者有机保焊膜。相比现有技术，本专利技术的有益效果在于：通过该封装基板制造工艺制得的封装基板，其本身自带用于封装芯片的收容腔，因此不需要在封装基板上额外安装收容腔支架，不仅可以有效缩短流程，降低成本，而且可以有效降低加工难度，从而提高产品精度和良品率。附图说明图1为本专利技术实施例提供的封装基板制造工艺的流程示意图；图2为本专利技术实施例提供的封装基板半成品制造过程的结构变化示意图；图3为本专利技术实施例提供的除去导电凸起和第一导电基片与导电凸起正对部位的流程示意图；图4本专利技术实施例提供的第一导电片制造的流程示意图；图5为本专利技术实施例提供的封装基板的剖视示意图。图中：10、第一导电片；20、绝缘件；30、第二导电基片；11、第一导电基片；12、导电凸起；21、凹腔；100、母材；101、穿孔；102、收容腔；103、导通孔；200、封装基板半成品；300、封装基板；40、第一感光膜；41、蚀刻孔；111、上表面；112、下表面；50、第二感光膜；51、第一电镀避让区域；60、焊盘；70、线路；80、保护层。具体实施方式下面，结合附图以及具体实施方式，对本专利技术做进一步描述，需要说明的是，在不相冲突的前提下，以下描述的各实施例之间或各技术特征之间可以任意组合形成新的实施例。需要说明的是，本专利技术实施例中所有方向性指示(诸如上、下、左、右、前、后、内、外、顶部、底部……)仅用于解释在某一特定姿态(如附图所示)下各部件之间的相对位置关系等，如果该特定姿态发生改变时，则该方向性指示也相应地随之改变。还需要说明的是，当元件被称为“固定于”或“设置于”另一个元件上时，该元件可以直接在另一个元件上或者可能同时存在居中元件。当一个元件被称为“连接”另一个元件，它可以是直接连接另一个元件或者可能同时存在居中元件。请参阅图1-图5，本专利技术实施例公开的一种封装基板制造工艺S100，用于制造供芯片封装的封装基板300，封装基板制造工艺S100包括：步骤S10，提供第一导电片10、绝缘件20及第二导电基片30，其中，第一导电片10包括第一导电基片11和位于第一导电基片11一侧的导电凸起12，绝缘件20的一侧凹设有凹腔21，将第一导电片10和绝缘件20以导电凸起12与凹腔21相对的方式进行层叠压合，使导电凸起12收容于凹腔21中，将第二导电基片30层叠压合于绝缘件20远离第一导电片10的一侧，制得母材100；步骤S20，在母材100上制造穿孔101，且穿孔101依次贯穿第一导电基片11、绝缘件20及第二导电基片30；步骤S30，对母材100进行加工以除去导电凸起12和第一导电基片11上与导电凸起12正对的部位，以形成用于供芯片安装的收容腔102；步骤S40，对第一导电基片11进行加工以形成焊盘60，对第二导电基片30进行加工以形成线路70，在穿孔101中电镀导电材料以形成用于连接焊盘60和线路70的导通孔103，制本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种封装基板制造工艺，用于制造供芯片封装的封装基板，其特征在于，所述封装基板制造工艺包括：/n提供第一导电片、绝缘件及第二导电基片，所述第一导电片包括第一导电基片和位于所述第一导电基片一侧的导电凸起，所述绝缘件的一侧凹设有凹腔，将所述第一导电片和所述绝缘件以所述导电凸起与所述凹腔相对的方式进行层叠压合，并使所述导电凸起收容于所述凹腔中，将所述第二导电基片层叠压合于所述绝缘件远离所述第一导电片的一侧，制得母材；/n在所述母材上制作穿孔，所述穿孔依次贯穿所述第一导电基片、所述绝缘件以及所述第二导电基片；/n对所述母材进行加工以除去所述导电凸起和所述第一导电基片与所述导电凸起正对的部位，以形成用于供芯片安装的收容腔；/n对所述第一导电基片进行加工以形成焊盘，对所述第二导电基片进行加工以形成线路，在所述穿孔中电镀导电材料以形成用于连接所述焊盘和所述线路的导通孔，制得封装基板半成品；/n对所述封装基板半成品进行切割，制得封装基板。/n

【技术特征摘要】
1.一种封装基板制造工艺，用于制造供芯片封装的封装基板，其特征在于，所述封装基板制造工艺包括：
提供第一导电片、绝缘件及第二导电基片，所述第一导电片包括第一导电基片和位于所述第一导电基片一侧的导电凸起，所述绝缘件的一侧凹设有凹腔，将所述第一导电片和所述绝缘件以所述导电凸起与所述凹腔相对的方式进行层叠压合，并使所述导电凸起收容于所述凹腔中，将所述第二导电基片层叠压合于所述绝缘件远离所述第一导电片的一侧，制得母材；
在所述母材上制作穿孔，所述穿孔依次贯穿所述第一导电基片、所述绝缘件以及所述第二导电基片；
对所述母材进行加工以除去所述导电凸起和所述第一导电基片与所述导电凸起正对的部位，以形成用于供芯片安装的收容腔；
对所述第一导电基片进行加工以形成焊盘，对所述第二导电基片进行加工以形成线路，在所述穿孔中电镀导电材料以形成用于连接所述焊盘和所述线路的导通孔，制得封装基板半成品；
对所述封装基板半成品进行切割，制得封装基板。


2.根据权利要求1所述的封装基板制造工艺，其特征在于，除去所述导电凸起和所述第一导电基片与所述导电凸起正对的部位包括以下步骤：
在所述第一导电基片远离所述导电凸起的一侧和所述第二导电片远离所述绝缘件的一侧贴设第一感光膜，对应所述导电凸起的位置对贴设于所述第一导电基片的所述第一感光膜进行曝光显影以形成蚀刻孔；
通过所述蚀刻孔对所述母材进行蚀刻，除去所述导电凸起和所述第一导电基片与所述导电凸起正对的部位，以得到所述收容腔，除去所述第一感光膜。


3.根据权利要求1所述的封装基板制造工艺，其特征在于，所述第一导电片由以下工序制作成型：
提供具有上表面和下表面的所述第一导电基片，在所述上表面和所述下表面上贴设第二感光膜，对贴设于所述下表面的所述第二感光膜进行曝光显影以形成第一电镀避让区域；
在所述第一电镀避让区域内电镀铜层，电镀铜层之后，除去所述第二感光膜，制得所述第一导电片...

【专利技术属性】
技术研发人员：康孝恒，蔡克林，唐波，杨飞，李瑞，许凯，蒋乐元，
申请(专利权)人：深圳市志金电子有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44