【技术实现步骤摘要】
III族氮化物器件以及制造用于III族氮化物基器件的欧姆接触部的方法
本专利技术涉及III族氮化物器件以及制造用于III族氮化物基器件的欧姆接触部的方法。
技术介绍
至今为止，典型地利用硅（Si）半导体材料来制造在功率电子应用中所使用的晶体管。用于功率应用的常见晶体管器件包括SiCoolMOS®、Si功率MOSFET、以及Si绝缘栅双极型晶体管（IGBT）。更新近地，已经考虑碳化硅（SiC）功率器件。III族氮化物半导体器件、诸如氮化镓（GaN）器件现在正新兴作为用于承载大电流、支持高电压、以及提供非常低的导通电阻和快速开关时间的有吸引力的候选物。然而，对III族氮化物基器件的另外的改进是合期望的。
技术实现思路
在实施例中，一种III族氮化物器件包括多层III族氮化物结构以及第一欧姆接触部，所述第一欧姆接触部被布置在多层III族氮化物器件结构上并且形成与多层III族氮化物器件结构的欧姆接触部。所述第一欧姆接触部包括具有导电表面的基底部分，所述导电表面包括外围部分和中央部分，所述外围部分和中央部分...
【技术保护点】
1.制造用于III族氮化物基器件的欧姆接触部的方法，包括：/n将金属层沉积到被定位在III族氮化物层上的介电层上以及介电层中的开口中；/n通过如下来形成经平面化的表面：/n使所述金属层结构化以形成T形接触部，所述T形接触部具有被定位在开口中的垂直部分以及被定位在介电层上的水平部分，其中介电层的区被暴露以限定所述T形接触部的水平部分的横向伸展；/n在所述金属层与III族氮化物层之间形成欧姆接触部；/n将停止层沉积到所述T形接触部的外表面上以及介电层的所暴露的部分上；/n逐步地移除所述T形接触部的水平部分并且形成与被定位在介电层上的停止层大体上共面的导电表面；/n移除停止层以产...
【技术特征摘要】
20181128 EP 18208960.71.制造用于III族氮化物基器件的欧姆接触部的方法，包括：
将金属层沉积到被定位在III族氮化物层上的介电层上以及介电层中的开口中；
通过如下来形成经平面化的表面：
使所述金属层结构化以形成T形接触部，所述T形接触部具有被定位在开口中的垂直部分以及被定位在介电层上的水平部分，其中介电层的区被暴露以限定所述T形接触部的水平部分的横向伸展；
在所述金属层与III族氮化物层之间形成欧姆接触部；
将停止层沉积到所述T形接触部的外表面上以及介电层的所暴露的部分上；
逐步地移除所述T形接触部的水平部分并且形成与被定位在介电层上的停止层大体上共面的导电表面；
移除停止层以产生经平面化的表面，所述经平面化的表面包括介电层以及导电表面的材料。
2.根据权利要求1所述的方法，其中使金属层结构化包括：
在金属层上形成光致抗蚀剂层；
使光致抗蚀剂层结构化；
移除从光致抗蚀剂层所暴露的金属层的部分以暴露介电层的区；
移除光致抗蚀剂层。
3.根据权利要求1或权利要求2所述的方法，其中逐步地移除T形接触部的水平部分包括化学机械抛光。
4.根据权利要求1至3中之一所述的方法，其中所述金属层包括多层金属结构，其中所述多层金属结构的最外层是导电阻挡层，其中所述导电表面具有中央部分和外围部分，所述中央部分包括导电阻挡层，所述外围部分包括欧姆接触材料。
5.根据权利要求4所述的方法，其中在逐步移除了水平部分之后，停止层被布置在中央部分上，并且从停止层暴露外围区。
6.根据权利要求4或权利要求5所述的方法，其中所述导电阻挡层是TiN，并且欧姆接触材料包括铝或铝铜或钛铝合金。
7.根据权利要求1至6中之一所述的方法，此外包括：
在介电层上形成光致抗蚀剂层；
在光致抗蚀剂层中形成开口；
移除在光致抗蚀剂层中的开口中所暴露的介电层，以及暴露III族氮化物层以在介电层中形成开口；
移除光致抗蚀剂层。
8.根据权利要求1至7中之一所述的方法，此外包括在经平面化的表面上形成另外的介电层。
9.根...
【专利技术属性】
技术研发人员：A比尔纳，J罗波尔，
申请(专利权)人：英飞凌科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：德国;DE
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