一种集成电路铜互连结构的制作方法技术

本发明专利技术公开了一种集成电路铜互连结构的制作方法，具体包括以下步骤：S1、首先提供半导体基体，在半导体基体的表面形成介质层，然后在半导体基体上进行布线，在介质层表面光刻出通孔和沟槽，再通过溅射法制备扩散阻挡层和种籽层，本发明专利技术涉及集成电路技术领域。该集成电路铜互连结构的制作方法，通过再通过溅射法制备扩散阻挡层和种籽层，采用溅射方法制备种籽层，使得铜原子不易淀积到边墙，改善溅射过程的填充能力，通过电镀液由硫酸铜、硫酸、水、加速剂、抑制剂和平坦剂组成，在进行铜互连结构的电镀时，加速剂、抑制剂和平坦剂的设置，使得沟槽填充更加均匀，加快了电镀反应，降低了铜表面的粗糙度。

A fabrication method of integrated circuit copper interconnection structure

【技术实现步骤摘要】
一种集成电路铜互连结构的制作方法
本专利技术涉及集成电路
，具体为一种集成电路铜互连结构的制作方法。
技术介绍
集成电路是一种微型电子器件或部件，采用一定的工艺，把一个电路中所需的晶体管、电阻、电容和电感等元件及布线互连一起，制作在一小块或几小块半导体晶片或介质基片上，然后封装在一个管壳内，成为具有所需电路功能的微型结构，其中所有元件在结构上已组成一个整体，使电子元件向着微小型化、低功耗、智能化和高可靠性方面迈进了一大步，它在电路中用字母“IC”表示，集成电路技术包括芯片制造技术与设计技术，主要体现在加工设备、加工工艺、封装测试、批量生产及设计创新的能力上，集成电路或称微电路、微芯片，芯片在电子学中是一种把电路(主要包括半导体装置，也包括被动元件等)小型化的方式，并通常制造在半导体晶圆表面上。目前在半导体集成电路互连层的制作中，采用铜互连材料取代传统铝互连材料进行半导体制造，但现有的铜互连结构在制造的过程中，由于铜容易与其他材料发生反应，粘附系数高，因此在填充高宽较大的通孔和沟槽时，往往会先将洞口上方堵塞，从而在通孔和沟槽中留下孔本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种集成电路铜互连结构的制作方法，其特征在于：具体包括以下步骤：/nS1、首先提供半导体基体，在半导体基体的表面形成介质层，然后在半导体基体上进行布线，在介质层表面光刻出通孔和沟槽，再通过溅射法制备扩散阻挡层和种籽层；/nS2、扩散阻挡层和种籽层制备完成后，对铜互连结构进行电镀，采用基体做阴极，阳极处的电镀液提供铜离子，溶液中产生电流并形成电场，使得阴极附近的铜离子与电子结合，形成镀在种籽层表面的铜，电镀时电流的电流值为2.75-6.75A，半导体基体的转速为30-90转/分钟；/nS3、电镀完成后，把该铜互连结构放置在反应容器中，送入退火炉进行退火处理，降低残余应力，稳定尺寸；/nS4、...

【技术特征摘要】
1.一种集成电路铜互连结构的制作方法，其特征在于：具体包括以下步骤：
S1、首先提供半导体基体，在半导体基体的表面形成介质层，然后在半导体基体上进行布线，在介质层表面光刻出通孔和沟槽，再通过溅射法制备扩散阻挡层和种籽层；
S2、扩散阻挡层和种籽层制备完成后，对铜互连结构进行电镀，采用基体做阴极，阳极处的电镀液提供铜离子，溶液中产生电流并形成电场，使得阴极附近的铜离子与电子结合，形成镀在种籽层表面的铜，电镀时电流的电流值为2.75-6.75A，半导体基体的转速为30-90转/分钟；
S3、电镀完成后，把该铜互连结构放置在反应容器中，送入退火炉进行退火处理，降低残余应力，稳定尺寸；
S4、退火完成后，将铜互连结构取出，需要将沟槽以外的多余的铜除去，留下沟槽中的铜，实现铜引线的图形化，采用化学机械对铜互连结构的表面进行抛光，在抛光研磨过程中不断磨去凸起的表面材料，最终做到表面平坦化，最后将铜互连结构表面的研磨粉末去除，再进行清洗，即可得到铜互连结...

【专利技术属性】
技术研发人员：向彦瑾，
申请(专利权)人：四川豪威尔信息科技有限公司，
类型：发明
国别省市：四川;51