半导体器件及其制备方法技术

提供一种半导体器件及其制备方法，包括：提供基底，在所述基底中形成沟槽；将第一电介质填充部分所述沟槽；对所述第一电介质的进行离子注入处理，所述离子注入处理的温度是50‑300℃；重复填充所述第一电介质并对其进行离子注入处理步骤至所述沟槽的一定深度；将第二电介质填充满所述沟槽；以及热处理填充在所述沟槽的电介质使其固化；其中，在填充所述第二电介质之前所述沟槽未被填充满。本发明专利技术的半导体器件的制备方法，重复可流动电介质部分填充沟槽、随后离子注入处理可流动电介质步骤，可以分步释放固化时产生的应力，从而不会在最后的热处理步骤中导致应力过于集中，进而避免有源区域倒塌的发生。

Semiconductor device and its preparation

【技术实现步骤摘要】
半导体器件及其制备方法
本专利技术涉及半导体器件制备
，特别是涉及一种包括浅沟槽隔离结构的半导体器件及其制备方法。
技术介绍
在半导体制造工艺中，经常需要形成沟槽填充的结构，例如在浅沟槽隔离结构中，沟槽内填充氧化物，形成各器件有源区之间的隔离。随着半导体特征尺寸的减小，沟槽深宽比(Aspectratio)的增加，以及对于沟槽轮廓(Re-entrantprofiles)要求的提高，传统的化学气相沉积(CVD)工艺已难以胜任沟槽填充的工作，目前较多采用旋涂介电层(SOD)或流体化学气相沉积(FCVD)工艺在沟槽内沉积可流动的填充物，然后通过退火等热处理工艺对填充物进行固化，可以实现沟槽的完全填充。但可流动电介质在固化时，会产生应力增加，可能会导致形成的有源区域倒塌，造成相邻存储单元的短路。
技术实现思路
为了解决上述缺陷，本专利技术提供一种半导体器件的制备方法，解决现有技术中可流动电介质固化时出现的有源区域倒塌而产生存储单元短路的问题。本专利技术一方面提供一种半导体器件的制备方法，包括：提供基底，在所述基底本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括：/n提供基底，在所述基底中形成沟槽；/n将第一电介质填充部分所述沟槽；/n对所述第一电介质的进行离子注入处理，所述离子注入处理的温度是50-300℃；/n重复填充所述第一电介质并对其进行离子注入处理步骤至所述沟槽的一定深度；/n将第二电介质填充满所述沟槽；以及/n热处理填充在所述沟槽的电介质使其固化；/n其中，在填充所述第二电介质之前所述沟槽未被填充满。/n

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括：
提供基底，在所述基底中形成沟槽；
将第一电介质填充部分所述沟槽；
对所述第一电介质的进行离子注入处理，所述离子注入处理的温度是50-300℃；
重复填充所述第一电介质并对其进行离子注入处理步骤至所述沟槽的一定深度；
将第二电介质填充满所述沟槽；以及
热处理填充在所述沟槽的电介质使其固化；
其中，在填充所述第二电介质之前所述沟槽未被填充满。


2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在所述基底中形成所述沟槽前，还包括在所述基底表面依次形成第一介电层和第二介电层。


3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，将所述第一电介质填充部分所述沟槽的方法包括旋涂法、流体化学气相沉积法中的一种或多种。


4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述离子注入处理包括氧离子注入处理、氩离子注入处理中的一种或多种。


5...

【专利技术属性】
技术研发人员：不公告发明人，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽;34