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提供一种半导体器件及其制备方法，包括：提供基底，在所述基底中形成沟槽；将第一电介质填充部分所述沟槽；对所述第一电介质的进行离子注入处理，所述离子注入处理的温度是50‑300℃；重复填充所述第一电介质并对其进行离子注入处理步骤至所述沟槽的一定...
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