制造半导体元件的方法技术

一种制造半导体元件的方法包括以下操作：定义具有第一金属图案间距(MX‑1

Methods of manufacturing semiconductor components

【技术实现步骤摘要】
制造半导体元件的方法
本揭露是关于一种半导体元件的制造方法，特别是关于半导体元件的图案设计的方法。
技术介绍
半导体集成电路(integratedcircuit；IC)行业随着IC材料及设计的技术进步已持续经历快速发展，生产出了连续世代的IC，每一新的世代皆具有比上一世代更小的几何形状及更复杂的电路。用于生产每一新的世代的IC的相关联布局、元件结构及制造制程的复杂性已相应地增加，以实现设计的功能密度。与金属图案化相关联的先进图案化及蚀刻制程的效能受到与所制造的特定IC元件布局配置相关联的密度梯度效应(densitygradienteffect,DGE)及/或着陆效应(landingeffects,LE)的影响。对切割金属图案的相对位置及间隔的考虑及调整用以减轻一些DGE/LE，并提高所得IC的均匀性及效能。
技术实现思路
根据一些实施例，使用一种方法制造半导体元件，此方法包括如下步骤：定义具有第一金属图案间距(MX-1P)的第一金属图案(MX-1)；在此第一金属图案之上沉积绝缘层；定义具有多个基础(core)位置的基础栅格，此些基础位置具有间距CoreXP；移除绝缘层的部分以在基础位置的预定部分中形成多个基础开口；以及使用定向蚀刻蚀刻此些基础开口以形成扩展基础开口。附图说明当结合随附诸图阅读时，自以下详细描述最佳地理解本揭示案的态样。应注意，根据行业上的标准实务，各种特征未按比例绘制。事实上，为了论述清楚，可任意地增大或减小各种特征的尺寸。图1为根据一些实施例的基础栅格的俯视图；图2为根据一些实施例的包括多个基础的基础栅格的俯视图；图3为根据一些实施例的其中基础已经由导向(或定向)蚀刻得以延伸并填充有导电材料(例如，金属)的基础栅格的俯视图；图4为根据一些实施例的其中基础已经由导向蚀刻得以延伸并填充有导电材料(例如，金属)的基础栅格的俯视图；图5A至图5D为根据一些实施例的具有PitchMX-1值与CoreXp值之间的各种比率的基础栅格的俯视图；图6A至图6H为根据一些实施例的具有PitchMX-1值与CoreXp值之间的各种比率的基础栅格的俯视图，其中基础已经由导向蚀刻得以延伸并填充有导电材料(例如，金属)；图7为根据一些实施例的示出金属切割位置的金属层的俯视图；图8为根据一些实施例的用于产生导电图案的方法的流程图；图9为根据一些实施例的用于产生导电图案的自动置放与布线(automatedplacementandrouting,APR)方法的流程图；图10为根据一些实施例的用于产生导电图案的方法的流程图；图11为根据一些实施例的集成电路的制造制程的流程图；图12为根据一些实施例的电子制程控制(electronicprocesscontrol,EPC)系统的方块图。【符号说明】100基础栅格102垂直轴104水平轴106基础位置106a基础位置106b基础位置200基础栅格202垂直轴204水平轴206基础位置208敞开基础208a敞开基础208b敞开基础300基础栅格302垂直轴304水平轴306基础位置308敞开基础308'扩展基础开口310a蚀刻延伸区域310b蚀刻延伸区域312针迹重叠区域314延伸导体316导体318导体400基础栅格402垂直轴404水平轴406基础位置408敞开基础408'扩展基础开口410a蚀刻延伸区域410b蚀刻延伸区域412针迹重叠区域414延伸导体416导体418导体500A基础栅格500B基础栅格500C基础栅格500D基础栅格502垂直轴504水平轴506基础位置600A基础栅格600B基础栅格600C基础栅格600D基础栅格600E基础栅格600F基础栅格600G基础栅格600H基础栅格602垂直轴604水平轴606基础位置608敞开基础608'扩展基础开口610a蚀刻延伸区域610b蚀刻延伸区域611最终基础开口611'最终基础开口616第一信号线(第一部分)618a第二信号线(第二部分)618b第二信号线(第二部分)620a可用的“O”620b不可用的“X”622较小位移700金属层702a金属切割位置(主要金属切割位置)702b金属切割位置(次要金属切割位置)704金属层704a区段704b区段704c区段704d区段704e区段706a末端706b末端706c末端708a末端部分708b中间部分710剩余部分800方法802操作804操作806操作808操作810可选操作812可选查询操作814可选操作816可选操作818可选操作900自动化置放与布线(APR)方法902操作904操作906操作908操作910操作912可选操作914可选操作1000方法1002操作1004可选步骤1006操作1008操作1010可选操作1012操作1014可选操作1016可选操作1100集成电路(IC)制造系统1108制程控制数据1120设计室1122IC设计布局图1130遮罩室1132数据准备1144遮罩制造1145遮罩1150IC晶圆厂1152晶圆制造1153半导体晶圆1160IC元件1200电子制程控制(EPC)系统1202硬件处理器1204储存媒体(计算机可读储存媒体)1206指令1208制程控制数据1210使用者界面(UI)1212I/O接口1214网络接口1216网络1218总线具体实施方式例示性实施例的此描述意欲结合随附附图进行阅读，将随附附图视为整个书面描述的一部分。以下揭示内容提供用于实施所提供标的的不同特征的许多不同实施例或实例。以下描述元件、值、操作、材料、布置及其类似者的特定实例以简化本揭示案。当然，此些仅为实例，且并不意欲作为限制。可预期其他元件、值、操作、材料、布置或其类似者。举例本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种制造一半导体元件的方法，其特征在于，该方法包括：/n定义具有一第一金属图案间距(MX-1

【技术特征摘要】
20181031 US 62/753,443;20191015 US 16/653,5011.一种制造一半导体元件的方法，其特征在于，该方法包括：
定义具有一第一金属图案间距(MX-1P)的一第一金属图案(...

【专利技术属性】
技术研发人员：彭士玮，赖志明，曾健庭，林威呈，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71