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本发明公开了一种集成电路铜互连结构的制作方法，具体包括以下步骤：S1、首先提供半导体基体，在半导体基体的表面形成介质层，然后在半导体基体上进行布线，在介质层表面光刻出通孔和沟槽，再通过溅射法制备扩散阻挡层和种籽层，本发明涉及集成电路技术领域...该专利属于四川豪威尔信息科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过四川豪威尔信息科技有限公司授权不得商用。
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本发明公开了一种集成电路铜互连结构的制作方法，具体包括以下步骤：S1、首先提供半导体基体，在半导体基体的表面形成介质层，然后在半导体基体上进行布线，在介质层表面光刻出通孔和沟槽，再通过溅射法制备扩散阻挡层和种籽层，本发明涉及集成电路技术领域...