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本申请实施例公开一种半导体器件及其制造方法，所述方法包括：提供半导体结构；所述半导体结构包括：半导体衬底，形成在所述半导体衬底上的栅极结构，以及覆盖所述半导体衬底以及所述栅极结构的阻挡层；采用刻蚀工艺去除预设区域内的所述阻挡层，以暴露出至少...
该专利属于长江存储科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过长江存储科技有限责任公司授权不得商用。

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