半导体器件的制作方法和半导体器件技术

本申请提供了一种半导体器件的制作方法和半导体器件。该方法包括：提供具有绝缘介质层的基底；在绝缘介质层的表面上形成金属连线层；至少刻蚀去除部分金属连线层，至少在金属连线层中形成多个填充槽，填充槽的两侧具有金属连线部；在填充槽的至少部分中填充介质，形成介质部。该方法通过先沉积后刻蚀形成金属连线部，由于沉积的宽度尺寸相对较大，所以该沉积的过程中不容易产生孔洞且形成的结构层较为致密。因此，相比于现有技术在凹槽中填充金属形成金属连线部，该方式减少了金属连线部产生孔洞的概率，进而提高电迁移率，从而提升器件的性能。

Fabrication methods and semiconductor devices of semiconductor devices

【技术实现步骤摘要】
半导体器件的制作方法和半导体器件
本申请涉及半导体领域，具体而言，涉及一种半导体器件的制作方法和半导体器件。
技术介绍
现有技术中，半导体器件中金属线的形成工艺一般包括：一般先在基底上设置隔离介质层，然后刻蚀隔离介质层和基底的绝缘介质层，形成凹槽，然后再在凹槽中填充金属，形成金属线。但是随着器件的制程层数的成倍增加，金属线的间隔越来越小，使得填充工艺越来越难，很容易产生孔洞，降低了电迁移率，导致器件性能较差甚至失效。具体地，在三维存储器(3DNAND)中，空隙会导致器件的电阻电容(RC)延迟指数性变差，进而导致器件的响应速度变慢。在
技术介绍
部分中公开的以上信息只是用来加强对本文所描述技术的
技术介绍
的理解，因此，
技术介绍
中可能包含某些信息，这些信息对于本领域技术人员来说并未形成在本国已知的现有技术。
技术实现思路
本申请的主要目的在于提供一种半导体器件的制作方法和半导体器件，以解决现有技术中的填充工艺形成金属连线部容易产生孔洞的问题。为了实现上述目的，根据本申请的一个方面，提供了一种半导体器件的制作方法本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括：/n提供具有绝缘介质层的基底；/n在所述绝缘介质层的表面上形成金属连线层；/n至少刻蚀去除部分所述金属连线层，至少在所述金属连线层中形成多个填充槽，所述填充槽的两侧具有金属连线部；/n在所述填充槽的至少部分中填充介质，形成介质部。/n

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括：
提供具有绝缘介质层的基底；
在所述绝缘介质层的表面上形成金属连线层；
至少刻蚀去除部分所述金属连线层，至少在所述金属连线层中形成多个填充槽，所述填充槽的两侧具有金属连线部；
在所述填充槽的至少部分中填充介质，形成介质部。


2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，至少刻蚀去除部分所述金属连线层，至少在所述金属连线层中形成多个填充槽，包括：
依次去除部分所述绝缘介质层和所述金属连线层，在所述绝缘介质层和所述金属连线层中形成多个所述填充槽。


3.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，
在形成多个间隔的金属连线部之后，在形成介质部之前，所述制作方法还包括：
至少在所述填充槽的内壁上形成阻挡层，
在所述填充槽的至少部分中填充介质，形成介质部，包括：
在所述填充槽的剩余部分中填充介质，形成所述介质部。


4.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，在所述填充槽的至少部分中填充介质，形成介质部，包括：
至少在所述填充槽的上方形成封顶层，所述封顶层和所述填充槽的内壁形成封闭空间，所述封闭空间中具有空气。


5.根据权利要求4所述的制作方法，其特征在于，至少在所述填充槽的剩余部分中形成封顶层，包括：
在所述填充槽的剩余部分中以及所述填充槽两侧的所述金属连线部上形成所述封顶...

【专利技术属性】
技术研发人员：左明光，朱宏斌，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42