温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本申请提供了一种半导体器件的制作方法和半导体器件。该方法包括：提供具有绝缘介质层的基底；在绝缘介质层的表面上形成金属连线层；至少刻蚀去除部分金属连线层，至少在金属连线层中形成多个填充槽，填充槽的两侧具有金属连线部；在填充槽的至少部分中填充介...
该专利属于长江存储科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过长江存储科技有限责任公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。