【技术实现步骤摘要】
小尺寸硅化物纳米线的制备方法及小尺寸硅化物纳米线
本专利技术属于集成电路互连
，具体涉及一种小尺寸硅化物纳米线的制备方法及该方法制备的小尺寸硅化物纳米线。
技术介绍
互连线的RC延迟早在0.13微米技术节点超过器件门电路的RC延迟成为制约集成电路响应速度不容忽视的重要问题。现有的铜/阻挡层互连线组合体系在走向14纳米节点以后，面临了金属线电阻显著升高，层间及线间电容增大等诸多问题。首先在现有的互连线体系结构中，铜被镶嵌在由金属黏附层阻挡层包裹的沟槽内，随着工艺尺寸的需求互连线的尺寸不断减小，铜在整个互连线体系中所占体积比越来越小，即有效导电成分越来越少；另外又由于增加的表面、界面散射和晶界散射所带来的尺寸效应导致的铜电阻率升高，因此最终使得铜/阻挡层这种互连线体系的电阻率急剧增加。硅化物作为下一代新型互连线材料的候选者之一，具有：电阻率无尺寸效应；无需黏附层阻挡层辅助的结构特点；以及，制备方法和目前硅基集成电路工艺相兼容等优点。其制备方法主要包括：硅纳米线的制备，和温度控制金属硅化物物相的固相反应两步。...
【技术保护点】
1.一种小尺寸硅化物纳米线的制备方法，其特征在于，该方法包含以下步骤：/n步骤1，在衬底上涂覆嵌段共聚物，经第一次退火处理，制备原始图案，得到具有嵌段共聚物图案的衬底；所述的衬底选择硅或绝缘层上硅；该嵌段共聚物为导向自组装材料，由两种或两种以上不同单体聚合形成，该嵌段共聚物满足χN≥10，N为嵌段共聚物的总聚合度，χ为各嵌段之间的弗洛里-哈金斯相互作用参数；/n步骤2，将具有嵌段共聚物图案的衬底采用金属盐溶液浸泡，使得金属盐被吸附至嵌段共聚物的极性嵌段上；/n步骤3，通入氧等离子体将金属盐还原成金属，并同时除去衬底上的有机物，使得所述金属原位沉积在嵌段共聚物的极性嵌段处，形...
【技术特征摘要】
1.一种小尺寸硅化物纳米线的制备方法，其特征在于，该方法包含以下步骤：
步骤1，在衬底上涂覆嵌段共聚物，经第一次退火处理，制备原始图案，得到具有嵌段共聚物图案的衬底；所述的衬底选择硅或绝缘层上硅；该嵌段共聚物为导向自组装材料，由两种或两种以上不同单体聚合形成，该嵌段共聚物满足χN≥10，N为嵌段共聚物的总聚合度，χ为各嵌段之间的弗洛里-哈金斯相互作用参数；
步骤2，将具有嵌段共聚物图案的衬底采用金属盐溶液浸泡，使得金属盐被吸附至嵌段共聚物的极性嵌段上；
步骤3，通入氧等离子体将金属盐还原成金属，并同时除去衬底上的有机物，使得所述金属原位沉积在嵌段共聚物的极性嵌段处，形成对衬底的硬掩膜；
步骤4，通入CHF3及SF6的等离子体气体混合物，对未经上述硬掩膜的衬底进行等离子体刻蚀，形成硅纳米线，完成图形转移；
步骤5，根据所述硅纳米线高度以及形成硅化物的金属材料的化学计量比，决定是否需要金属淀积以及金属淀积的厚度；
步骤6，进行第二次退火处理，形成小尺寸硅化物纳米线，该小尺寸是指线宽特征尺寸不大于10nm。
2.如权利要求1所述的小尺寸硅化物纳米线的制备方法，其特征在于，步骤1中，所述的第一次退火处理是指：采用真空或惰性气体环境加热退火法或者溶剂蒸汽退火法；当采用真空或惰性气体环境加热退火处理时，控制退火温度为100℃～250℃，退火时间为1min～30min；当采用溶剂蒸汽退火处理时，在常温下进行，退火时间为1min～48h。
3.如权利要求1所述的小尺寸硅化物纳米线的制备方法，其特征在于，所述的步骤1还包含：
步骤1.1，在清洁衬底上涂覆含有交联剂的有机物层，形成化学衬垫；
步骤1.2，在化学...
【专利技术属性】
技术研发人员：屈新萍，李冬雪，熊诗圣，
申请(专利权)人：复旦大学，
类型：发明
国别省市：上海;31
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