晶片的加工方法技术

提供晶片的加工方法，使对晶片进行加工而制造器件芯片的工序简化。晶片的加工方法对晶片进行加工，该晶片埋设有贯通电极，形成有覆盖贯通电极的第1绝缘膜，其中，晶片的加工方法具有如下步骤：磨削步骤，按照覆盖贯通电极的第1绝缘膜不在背面侧露出的程度从背面侧磨削晶片；电极突出步骤，对晶片的背面进行蚀刻而使被第1绝缘膜覆盖的贯通电极在背面侧突出；应变层形成步骤，对贯通电极已突出的该晶片的背面提供等离子化的惰性气体，在晶片的背面上形成应变层；绝缘膜形成步骤，在晶片的背面上形成第2绝缘膜；和电极形成步骤，在与贯通电极重叠的区域中，将第1绝缘膜和第2绝缘膜去除，形成与在晶片的背面侧露出的贯通电极连接的背面侧电极。

Wafer processing method

【技术实现步骤摘要】
晶片的加工方法
本专利技术涉及埋设有贯通(Via)电极的晶片的加工方法。
技术介绍
搭载于电子设备的器件芯片如下形成：在由半导体等材料形成的晶片的正面上设定多条交叉的分割预定线，在由该分割预定线划分的各区域内形成器件，沿着分割预定线对该晶片进行分割，从而形成该器件芯片。近年来，为了器件芯片的省空间化，需要薄型的器件芯片，在对晶片进行分割之前，从背面侧进行磨削，薄化至规定的完工厚度。另外，近年来，要求将器件芯片安装于规定的安装对象时的安装面积的省面积化、器件芯片的高性能化。因此，制造出将多个器件芯片层叠并将器件芯片的层叠体纳入一个封装而得的封装芯片。但是，以往该封装芯片所包含的多个器件芯片通过引线接合等方法而相互连接，但在该情况下，必须按照用于接线的区域所需的量使封装增大，器件芯片的多层化已达到极限。因此，例如开发了如下的技术：在该器件芯片上形成沿厚度方向贯通器件芯片的Via电极(贯通电极)，利用该贯通电极将多个器件芯片间连接。例如，通过形成在将硅晶片分割而制作的器件芯片上的贯通电极而将上下的器件芯片连接的技术被称为TSV本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种晶片的加工方法，对如下的晶片进行加工，该晶片在正面上设定有交叉的多条分割预定线，在由该分割预定线划分的各区域内形成有器件，在该各区域内埋设有沿着厚度方向的贯通电极，该晶片形成有覆盖该贯通电极的第1绝缘膜，其特征在于，/n该晶片的加工方法具有如下的步骤：/n保护部件配设步骤，在该晶片的该正面上配设保护部件；/n磨削步骤，利用卡盘工作台对该晶片的该保护部件侧进行保持，按照覆盖该贯通电极的该第1绝缘膜不在背面侧露出的程度从该背面侧对该晶片进行磨削；/n电极突出步骤，在实施了磨削步骤之后，将该晶片收纳于第1真空腔室中，对该晶片的背面提供等离子化的第1蚀刻气体，对该晶片的该背面进行蚀刻，从而使被...

【技术特征摘要】
20181203 JP 2018-2263561.一种晶片的加工方法，对如下的晶片进行加工，该晶片在正面上设定有交叉的多条分割预定线，在由该分割预定线划分的各区域内形成有器件，在该各区域内埋设有沿着厚度方向的贯通电极，该晶片形成有覆盖该贯通电极的第1绝缘膜，其特征在于，
该晶片的加工方法具有如下的步骤：
保护部件配设步骤，在该晶片的该正面上配设保护部件；
磨削步骤，利用卡盘工作台对该晶片的该保护部件侧进行保持，按照覆盖该贯通电极的该第1绝缘膜不在背面侧露出的程度从该背面侧对该晶片进行磨削；
电极突出步骤，在实施了磨削步骤之后，将该晶片收纳于第1真空腔室中，对该晶片的背面提供等离子化的第1蚀刻气体，对该晶片的该背面进行蚀刻，从而使被该第1绝缘膜覆盖的该贯通电极在该背面侧突出；
应变层形成步骤，在该电极突出步骤之后，对该贯通电极已突出的该晶片的该背面提供等离子化的惰性气体，在该晶片的该背面上形成应变层；
绝缘膜形成步骤，在该应变...

【专利技术属性】
技术研发人员：西田吉辉，饭田英一，千东谦太，金永奭，
申请(专利权)人：株式会社迪思科，
类型：发明
国别省市：日本;JP